测量程控单结晶体管的方法
程控单结晶体管(PUT)又称可编程成可调式单结晶体管。它实质上是一个N极门控晶闸管,因用途与单结晶体管相近,故纳入单结管之列。单结晶体管一经制成,从外部无法改变其参数值(如％,、％。、珈、n、,v等,。程控单结晶体管则是由外部电阻R、、尺:代替内基极电阻％。、h:,只需改变二者的电阻比,即可从外部调整参数值,因此使用更加灵活。程控单结晶体管具有参数可调、触发灵敏度高、漏电流小、脉冲上升时间短(约60ns)、输出功率较大等优点,不仅能构成可编程脉(。)金属壳封装;(b)曩辩封装冲波或锯齿波发生器、过田l程控单结晶体臂的外形 压保护器、长延时器.还能触发 晶闸管及大功率晶体管。 PUT的外形与小功率晶 体管相似,也有金属壳和塑料 两种封装形式,见图l所示。国 产型号为BT40、XG90lD等, 国外典型产品有2N6027、 2N6028、Ni3T1等。下面介绍 其工作原理及检测方法。承。㈨一、工作原理 程控单结晶体管的结构、等效电路...&
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业余电子制作中如果对元器件特性有全面的了解,叮以就地取材废物利用,节省资金,收到事半功倍的效果。下面仅举几例。 1.单结晶体管代替正温度系数硅测温电阻。 单结晶体管BT33等,其两个基极bl一b2之间为一低掺杂N型单晶硅半导体,具有+。.7%/C的正温度系数,且线性良好。这一特点正与正温度系数硅测温热敏电阻一致,故可替换使用。 2.硅二极管作测温元件。 像IN4148小型玻封二极管的PN结正向压降具有一ZmV/C的负温度系数,且热响应快。一般适用于一25一125〔,范围内的温度测量。但应用时为防止电流流过PN结产生的自热效应温升引起测温误差;应将工作电流...&
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PUT管即可程控单结晶体管的简称.它是一种PNPN结构四层三端负阻器件.其符号及等效电路如图1所示. 其典型产品型号为艺N‘027,其外型及引脚如图2所示. 从其等效原理电路中可以看出.在其阳极A和阴极K之Itil,及栅极G和阴极K之间接正向偏压时.如果阴极电位U人低于姗极电位U‘.则A~G间巧N、结反偏,PUT管AK之间不能导通.当阳极电位高于姗极电位时,P:N,结正偏,PU丁管的A~K之间导通并出现负阻现象。因此改变PU丁管栅极控制电压可以调节其阳极峰点电压,等效于调节单结晶体管的分压比,故称之为程控单结管.利用其工作特性可以在小家电中构成振荡电路或开关控制电路.以下是其典型应用两例. 1.燃气电子点火器 工作原理:图3是采用PUT管制成的燃气电子点火器。图中晶体管VT、和变压器B:初级线圈构成自激振荡电路,在Bl的次级产生约18oV左右的高压,经二极管VD:整流为直流对电容C.充电储能,与此同时经过电阻R;对C:充电.以J...&
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大多《电子技术》教材对单结晶体管的结构、工作特性及其应用只作了很简单的介绍,因而学生对本节内容的掌握存在一定的难度。教师在讲解时需对教材作适当处理,化解难点,降低难度,达到使学生容易掌握的目的。本文就此问题,谈谈自己的一点教学体会。一、讲明结构是基础结构决定工作特性。因此首先必须讲清结构。单结管的结构特点是具有一个PN结和两个欧姆接触电极B1、B2的负阻半导体器件,即双基极二极管。其结构如图1所示,等效电路如图2,其中在P型半导体上引出的电极叫发射极(E),发射极E与B1极之间的接触电阻为RB1,其阻值随发射极电流IE变化而变化,发射极E与B2极之间的接触电阻为RB2,其阻值与IE无关,B1、B2间的电阻RBB=RB1+RB2。二、讲清工作特性是关键结构决定特性,特性确定其应用。研究单结晶体管的特性就是研究发射极电压UE与发射极电流IE的关系,即UE=f(IE)。其曲线如图3。1、分压比:指单结晶体管发射极E至第一基极B1间的...&
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程序可控单结晶体碧是~种新型的半导体器件。它具有负阻特性,与单结晶体管uJT完全相同的伏一’安特性曲线,而且还具有可调的特点。程序可控单结晶体管〔PUT)的电路符号及伏~安特性曲线如图一、2所示, 由于单结晶体管和程序可控单结晶体管内部结构不同,其性能有很大的差异。程序可控单结晶体管是四层三喘器伽其结构如图3所示。A(卜日极)一玺J、一一一..阴极)图主电路符号图ZV一A特性曲线 ,33·Rl歇 nl|勺|才1-[日︺IJ器 ﹃.一汗之么贫一一闷F︸.也 ﹃︸一叹耳 一如一T一T 妇1 1 c 工U 卿11﹂广l‘LP J怪 图图3结构示意图 单结晶体管的基极电阻R。,、R。:被制造在管子内部,由制造工艺决定.而程序可控单结晶体管的Rl、R,却是由外部分压电阻连接而成,如图4所示,只要改变R,、RZ的数值,即可很方便地改变程序可控单结晶体管的分压比勺、谷点电流I拜口峰点电流I。,如图2所示。 程序可控单结晶体管的控制电压,取自电...&
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众所周知,由单结晶体管组成脉冲形成电路具有结构简单,输出峰值电流大,温度稳定性比较好等特点,所以单结晶体管得到广泛应用。但是在工作环境温度变化大,要求温度稳定性高的振荡器中,单结晶体管的应用受到一定限制。本文就单结晶体管的温度补偿问题提出一些见解。 首先,分析单结晶体管温度漂移的原因。U,二(U。一U石)·刀+U。 =U。·刀一U石·刀+U。式中:U。—电源电压,与工作温度无关。_RB: Ra一+Ra:二常数。_R。: R:,+RoZ二常数 因为R。,,R。:是用相同材料,相同的工艺制造,又在相同的环境下工作,所以具有相同的温度系数,刀不变。 UD是E。:结二极管的正向压降,二极管的正向压降都具有负温度系数,此温度系数与温度无关,只与流过二极管的正向电流大小有关。U。的温度漂移是单结晶体管温度漂移的原因所在。 以往单结晶体管的温度漂移大多数采用在BZ基极串联一定数值电阻(包括热敏电阻,精密电阻等)进行 U石—补偿用二极管电压。 ...&
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电力电子技术判断题
1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（
2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中
一组逆变器工作在整流状态，另一组工作在逆变状态。（
3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（ F
4、逆变角太大会造成逆变失败。（
5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（ T
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（
7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（
8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（ F
9、三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（
10、变频调速是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变转速的目的。（T
1、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是
用电流有效值来表示的。（
2、逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。（
3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
4、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工作。
5、PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。
6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。
7、过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。（ T
8、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。（
9、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法（ F ）
10、在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。（ F ）
2、接续流二极管的单相双半波可控整流电路。
一、 判断题
1、 普通晶闸管内部有两个PN结。
贡献者：lusentao一天一个电路分析-第七弹（程控单结晶体管（PUT管）弛张振荡器）-电子产品世界论坛
一天一个电路分析-第七弹（程控单结晶体管（PUT管）弛张振荡器）
一天一个电路分析-第七弹（程控单结晶体管（PUT管）弛张振荡器）
活动宗旨：为锻炼大家的分析电路问题的能力，从今天开始，每天一个小电路，大家跟帖，描述该电路的功能。
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本电路利用R4和C1回路构成电容充放电，试分析其工作原理。
更多电路分析请见：
R1,R2时刻为g极提供触发电压，但电源刚接通时电容通过R4充电，a极电压从0伏逐渐上升，当电压上升到能满足晶体管导通条件时，晶体管突然导通，C经过管子和r3放电，由于r3阻值太小，A点电压瞬间变成0伏，晶体管截止，C继续充电，重复上一过程，r3,r4,C同时决定振荡频率，看C极波形，应该可以用这电路驱动固态继电器控制点焊机呵。不过我对这个晶体管不了解，下面继续，我学习
版主出来指导一下呗！
二楼挺厉害的样子
等待何富和指点……
&& 2楼的网友已经分析得比较全面了。
&& 我还是只补充一点：R1与R2构成分压器，使G点的电压约为12V=V*R2/（R1+R2）,提供单结管的导通比较电压，当A点的电压高于比较电压时，单结管导通电容C放电，当UA等于UC时，放电停止，开始下一轮的充电.....。
这个电路振荡设计的比较巧妙，求计算公式，，
想说的是2N6027是一个小功率的可控硅
补充一下RC充电时间计算：充电时间常数Tc，Tc=RC = 1M * 1uF = 1秒，即每1秒内，电压充电约为(1-1/e)V& = 0.632V = 12.64V&。 比较电压如上述公式,V0 = 12V . 故电路的充放电频率正好为1HZ.
高手啊，分析的太详细了。
这个管子就像一个电压开关
匿名不能发帖！请先 [
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