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激光器常见问题解答
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激光器常见问题解答
一、 什么是基于单管的光纤耦合方式？
单管的光纤耦合激光器，包括单管耦合系列、多单管耦合系列以及光纤捆绑模块系列。下面分别给大家介绍一下这些产品:
1.单管的耦合方式是将单支LD管芯发出的光耦合到光纤中，经过生产封装后得到一定输出功率的半导体激光器。单管耦合系列波长从405nm到976nm，功率2mW到10W。
2.多单管纤耦合系列是采用多单管耦合技术，将几支甚至几十支LD通过合理的光路设计实现光束叠加，从而耦合进入光纤，波长从450nm到976nm，功率可实现1.6W到200W。
3.光纤捆绑模块是将多支光纤耦合后的激光器组件的光纤捆绑后经合束器合束再耦合到光纤输出，波长可从450nm-1550nm，功率可达300W。
二、 光纤连接头都有哪些种类？各有什么特点？
通常国际通用的标准光纤连接头，按其结构可分为FC（FC/PC、FC/APC）、ST、SMA-905三种类型。其中，FC紧固方式为螺丝扣，采用陶瓷插芯，对接端面有平面（PC）和带有8&角斜面（APC），此类连接器优点是牢靠。ST固定方式为卡接式，插入后旋转半周有一卡口固定，操作简便。SMA-905采用螺纹锁紧的固定方式，一般多为金属直接加工而成，常用在大功率激光器中，其优点为耐高温，散热快。
三、 从输出的光斑是什么样的？
简单来讲，从光纤输出的光斑一般为带有一定发散角的圆形光斑。具体光斑大小与光纤芯径有关，发散角的大小由光纤数值孔径决定。常用光纤分为单模和多模，单模芯径从2.9&m到9&m，多模芯径从50&m到400&m，数值孔径一般为0.15NA和0.22NA。数值孔径是指光束在光纤内发生全反射传输的最大入射角度的正弦值，可简单视为激光出纤后的发散角，0.22NA代表发散角（半角）约12.5&，0.15NA代表发散角约8&。
四、中心波长是如何定义和测量的？
在标定的激光中心波长是在一定温度时，额定功率下测得的光谱半高全宽中心位置所对应的波长，半高全宽是指光谱峰值两侧强度下降到峰值一半时所对应的波长差。一般情况中心波长由半导体材料决定，但因温度、电流对半导体激光器的波长影响较大，故随着电流和温度的变化激光器中心波长会发生漂移。
五、 如何为选择制冷方式？
激光器常用制冷方式分为风冷和水冷。根据激光器功率及功耗计算出所需散热量的大小，从而选择合适的制冷方式；一般情况，单支激光器可采用直接加风扇或TEC制冷片，简单易行。多支高功率激光器根据散热量选择水冷板，或采用TEC制冷片加风扇。
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六、 操作半导体激光器时有哪些需要注意事项？&
1. 静电保护
运输、储存、使用时必须采取防静电措施，运输和储存过程中引脚之间需连接短路线保护，使用时操作人员需佩戴防静电手环。
2. 安全防护
激光器工作时，避免激光照射眼睛和皮肤，更不能直视，必要时可佩戴激光防护镜，尤其对不可见光波段的激光更应了解其功率安全级别，避免受到伤害。
3.& 管脚焊接
工作电流在6A以上的激光器请采用焊接方式连接引线，焊接点尽量靠近引脚根部，用力要适当，避免引脚弯折造成内部连接损坏。为防止电烙铁功率过大或焊接时间过长而是半导体激光器产生热击穿，应使用小功率（小于8W）电烙铁,温度低于260℃，焊接时间不超过10秒，同时注意防静电保护。
4. 避免浪涌
浪涌是一种突发性的瞬间电脉冲，半导体激光器瞬时承受过电压可使PN结击穿，在瞬时过电压下的正向过电流所产生的光功率可以使解理面损伤。避免浪涌，半导体激光器的驱动电源应采用慢启动措施，保证激光器有良好的电接触，若需要使用电位器调节激光器驱动电流和输出功率时，可与电位器串联一个限流电阻，避免因调节不慎，使驱动电流超过额定电流导致浪涌而损坏激光器。
&& 5. 防污保护
激光器使用前需对光纤端面进行清洁处理，可用酒精擦拭，防止灰尘对激光产生的衍射、散射等损耗降低光斑质量，当激光器闲置时对连接头要加保护。
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638nm 光纤耦合激光器 T2
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系统被广泛应用于光敏材料、治疗、激光显示、刑侦等领域，并能够针对不同需求提供定制产品。
种类 : 激光器 ;
型号 : STL638T2-5.0W/7.0W ;
品牌 : STL ;
加工定制 : 是 ;
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什么是光纤耦合半导体激光器？
光纤耦合半导体激光器是什么，和光纤激光器的区别请教一下。谢谢！
光纤耦合半导体激光器的主体是半导体激光器，有源区或者说增益介质为半导体材料，出光通过光学系统耦合进光纤；光纤激光器的有源区本身就是光纤，通常采用掺杂光纤作为增益介质。
采纳率：64%
可构成各种逻辑关系。有“或”和“或非”两种输出，抗干扰力差。有线阵和面阵两种。可作延迟线和移位寄存器，也可作模拟信号处理和存储用。在当前摄像头中几乎全部用电荷耦合器件两个人在一起叫做“耦”。耦合就是交合的意思了。相关术语—— 发射极耦合逻辑集成电路 。特点为开关速度快，甚至达亚毫微秒，但功耗大。 电荷耦合器件 ： 利用少数载流子在表面层势垒中存储和转移而制成的器件。由金属氧化物半导体电容阵列构成： 晶体管导通时工作在非饱和区的一种逻辑集成电路
一楼解释得简单明了
楼上说的很有道理
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