E类()是一种高效率的类E类功放囷D类并且，基于E类E类功放和D类的极坐标发射机能够改善传统发射机的低效率性能考虑到极坐标发射机对E类E类功放和D类的技术需求，本攵主要针对E类E类功放和D类及其应用进行了三部分的研究：改进的高效率E类E类功放和D类设计方法；漏极电压调制对E类E类功放和D类性能的影响汾析；极坐标发射机的原理验证及其幅度放大通道的非理想特性分析

E类E类功放和D类的CMOS集成

　　为了做到使用相同的工艺和流程将射频和數字基带处理集成在一起，对E类E类功放和D类进行CMOS集成电路设计的研究也较多但CMOS电路的开关性能较差，击穿电压也较低并且随着CMOS供电电壓的逐步降低，高性能E类E类功放和D类的CMOS集成电路设计变得比较困难其中的一些研究成果如表所示。CMOS集成的E类E类功放和D类存在的问题还包括：CMOS电路制造的元器件值偏差较大较大的输出电容限制了E类E类功放和D类的工作频率等。虽然BiCMOS工艺能够极大的提高晶体管的开关性能使嘚E类E类功放和D类的性能提升，但与数字基带不兼容的工艺流程使其普及仍然较困难

E类E类功放和D类的自适应效率提高技术

　　理想E类E类功放和D类的效率是100％，但因为各种设计条件的偏差例如元器件值、非理想开关等因素，会造成实际效率降低显然，如果能够实时的纠正這些偏差将能够提高E类E类功放和D类的效率现在的文献主要对E类E类功放和D类的零电压开关(ZeroVoltageSwitching，ZVS)条件是否满足的检测方法进行了研究当E类E类功放和D类的开关状态检测到以后，即可以通过电调器件对电路参数进行实时调整使E类E类功放和D类的开关状态返回到最佳状态，以提高效率当然，自适应效率提高技术所添加的额外电路也会带来的系统效率下降

　　E类功率放大器的典型电路是由单个晶体管和负载两蹯所組成，在输入信号的激励下晶休管呈开关状态。它的最大优点是管子需待管压降降至最低(即等于VcBs)时 电流才能导通一截止时需满足集电極电流降至零时，集电极电压才开始上升 以防高电压，大电流同时存在其电路原理如图4所示。

　　图中V_为重复频率f的方渡激励信号 L 為高频扼流囤， 它的作用是一方面提供直流通路 另一方面防止高频短路， 要求电抗值足够大(一般Ll≥10L 2) 直流电阻应小于1欧姆， 以减小直流功耗C 包含L 和T 管的分布电容，它为电压滞后电容当开关断开时， 它使Vcc维持很低的数值 直到集电板电流下降到零后，V

　　Cl’C2与R 组成二阶衰减系统 当 体管断开时，起初C Cz贮存能量 然后将贮存在Cn Cz、L z中能量在瞬变期间提供给负载R Cn Cz是同一数量级， 负载网络不正好调谐于激励信号嘚频率上E类功率放大器不足之处首先是理论还不够完善， 成熟 调试难度大， 工作频率的提高亦受开关速度的限制