英飞凌的ir2153s自激半桥自激振荡驱动器,不太懂自激电路如何工作,如图

  • 集成 600 V 半桥自激振荡栅极驱动器
  • 更嚴格的初始死区时间控制
  • 增加欠压锁定迟滞 (1 V)
  • 较低功耗的电平移位电路
  • 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
  • 高邊输出与 RT 同相
  • 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
  • 所有引脚上均具有 ESd 保护

EiceDRIVER? 2EDL是基于绝缘体上硅技术的600伏半桥自激振荡门级驱动芯片系列, 其内部集成高性能低阻快恢复自举二极管, 适用于需高效率和小体积的各种应用.

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

通过该培训您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片以及如何在实验室中,根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调

网络研讨会:每一个开关都需要一个驱动器——选择正确的驱动器将取得事半功倍的效果

我们提供諸多电平转换高压栅极驱动器产品组合,采用绝缘体硅片 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术了解英飞凌 SOI 栅极驱动器优势:集成自举二极管,低电平转换损耗节约空间和成本以及负 VS 稳健性。

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  • 集成 600 V 半桥自激振荡栅极驱动器
  • 更嚴格的初始死区时间控制
  • 增加欠压锁定迟滞 (1 V)
  • 较低功耗的电平移位电路
  • 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
  • 高邊输出与 RT 同相
  • 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
  • 所有引脚上均具有 ESd 保护

EiceDRIVER? 2EDL是基于绝缘体上硅技术的600伏半桥自激振荡门级驱动芯片系列, 其内部集成高性能低阻快恢复自举二极管, 适用于需高效率和小体积的各种应用.

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

通过该培训您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片以及如何在实验室中,根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调

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我们提供諸多电平转换高压栅极驱动器产品组合,采用绝缘体硅片 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术了解英飞凌 SOI 栅极驱动器优势:集成自举二极管,低电平转换损耗节约空间和成本以及负 VS 稳健性。

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