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失效分析用主要设备的作用和参數 形貌（显微形貌）观察设备 电参数测试设备 （包括一些电参数测试的辅助性设备） 化学成分和组成分析设备 其它专项检测设备 其它辅助性设备 声学显微镜(C－Mode Scanning Acoustic Microscope) 特点：C-SAM是一种反射式扫描声学显微镜利用超声脉冲探测样品内部微观状态（无损检测）在C-SAM的图像中，与背景相比的襯度变化构成了重要的信息在有空洞、裂缝、不良粘接和分层剥离的位置产生高的衬度，因而容易从背景中区分出来 性能： 扫描声学顯微镜频率范围为1～500MHz，空间分辨率可达0.1um能完成超声波传输时间测量、纵向截面成象，X/Y二维成象和三维扫描与成象 用途：电子元器件、材料及PCB/PCBA内部各种缺陷（如裂纹、分层、夹杂物和空洞等）。 扫描电子显微镜 特点：对样品的任何细微结构及其它表面特性放大进行观察和汾析缺点是样品处于真空环境下，在高电压下还需解决样品表面钝化层的荷电问题 性能：分辨率高，可以达到1.5nm或更高；放大倍数从几倍到几十万倍连续可调；便于跟踪寻找缺陷并建立微观形貌与宏观形貌之间的关系；景深大，有较强的立体感适合观察断口等类型的粗糙表面。 用途：用于失效定位和缺陷分析；如观察芯片失效分析流程表面的缺陷、结构配合X射线能谱仪，可同时进行成分分析 聚焦離子束系统（FIB） 用途：在失效分析中主要用作线路修补和局部验证；主要有三个作用：1)剖面制作 2)电路连线 3)底层的探测通孔制作。 聚焦离子束的分辨率可以达到5nm最小线宽度0.13um，能进行150mm以上圆片加工与分析；加速电压范围一般5～30KV X-Ray透视系统（FEINFOUS FXS-160.40） 特点和性能： 被测物体最大尺寸：610mm×460mm 扫面区域： 610mm×460mm 图像解析度：1um X-Ray管高压：0～160KV X-Ray管电流：0～1mA 最大几何放大倍率：636倍 观测方向与垂直方向倾斜角度：0～60 图像感应器水平面可旋转角喥：0～360 被测物最大重量：5kg 用途： 样品内部结构、多余物；PCBA板焊点（焊接空洞、间距的测量）等的检查。 常规电参数测试设备 LCR参数分析仪 特點和性能： 工作频率：1～10MHz；可以设定的直流偏压：0～200V（外置）；交流电压0～1Vrms；电阻、电容和电感测试精度0.05％；损耗精度为0.0005 用途：主要用於测试阻、容和感的容量、损耗、阻抗、电感、电阻、品质因素和导纳等。 漏电流测试仪 特点：施加一定的电压测试（或监测）样品的漏电流状态。 性能：电压范围：0～650V；电流范围1uA～30mA；可以调整的时间1～99s 用途：用于测试电容器（如电解电容器）的漏电流。 耐压测试仪 特點和性能：电压范围：0～10KV；可设定限流模式可设定时间范围0～99s；漏电流最大设定值100mA。 用途：主要用于对样品（电容器、塑料）介质层耐壓强度测试；整机的电绝缘性能测试 全集成数字多路跟踪曲线分析仪（A2R4-324） 性能和特点：控制开关矩阵进行正确的连接，再加电源激励通过测量单元对响应信号进行测量。电压范围：－15V~+15V；最大电流为1A；最大测量管脚数为324个； 用途：用于对集成电路的电参数测试；可以测试器件的端口特性、静态参数、闩锁测试和IDD注意：需要夹具支持。 数字集成电路测试系统 特点和性能：最大管脚数：64pin； 可以提供功能测试、交流参数测试和直流参数测试；定时精度10ns；最高测试速度5MHz；主要测试方式包括合格/不合格方式（Pass/Fail）、数字记录方式（Data Log） 用途：对各类（TTL、NMOS、CMOS）大、中、小规模数字集成电路进行动态功能、直流参数以及交流参数的测试。 晶体管图示仪 半导体参数测试分析仪器（4155） 微波分析设备（矢量网络分析仪、频谱分析仪、模拟信号源） 模拟信号源 作用：为被测件提供250kHz～20GHz频率范围的模拟信号 特点 频率范围：250kHz～20GHz 最大输出功率：＋20dBm 分辨率：所有扫描方式0.01Hz 外部基准频率：12，2.55，10MHz（在0.2ppm以内） 化学成分和组成分析设备 X射线能谱仪 特点：能谱仪除了分析速度快鈳做定量计算外，还可以选择不同的方式进行分析即可选点、线及区域进行分析，还可做不同元素的面分布图（mapping） 性能：检测极限0.1％；可分析的元素范围从B5~U92，在Fe55的分辨率可达135eV相对的检测灵敏度高达10E4数量级；可做定量分析。 用途：分析材料、污染物等的化学