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全定制设计流程包括电路图输入、版图、仿真和验证

许多代工厂采用的PDK大型组合,重点在于AMS、HV、BCD和CIS工艺

自动化SRAM表征环境

SPICE建模用于广泛的模型类型包括用于电源器件的HiSIM_HV以及用于有机和氧化物TFT的UOTFT

像素和互连RC提取用于TFT显示器

3D TCAD产品用于大型应用,包括快速的FinFET成型、多单元IGBT的大型结构并行仿真、对沟槽MOS功率器件和CMOS图像传感器的强大而稳定的氧化仿真、高精度的SiC/ GaN仿真、用于3D NAND闪存和STT MRAM、SEE和总剂量可靠性仿真的先进蚀刻

提供设计复杂的高精度模拟电路模拟混合信号电路,分析关键网路表征单元库要求最高的性能和精确度

采用时域射击和频域谐波平衡方法来提供GHz范围內的RF IC的模拟。

支持任何技术的平面或分层设计网关随时接受来自其他电路图编辑通过EDIF传统设计2 0 0标准。

在多年经验的基础上最大限度IV提供了一个功能强大且易于使用的工具,设备的表征和准确机型小巧,宏模型和Verilog-A模型模拟和RF应用的产生

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