中国现在还没有企业可以研制什么是射频技术术吧。好像还要靠进口美帝,现在美帝不卖给中国了,中国以后生产的通讯

华为被制裁已经两个星期了美系公司已经全面对华为断供,而且各大国际技术组织(WIFI联盟SD存储卡协会,蓝牙技术联盟JEDEC固态技术协会)也恐惧于美国的司法威慑,在評估期间先后暂停或者部分暂停了华为的会员资格不过有意思的是,可能是评估完了觉得好像没啥法律风险于是后面又陆续恢复。

而那些对华为断供的公司:

在诺基亚的2018年财报里面专门提到了一条“专注专利授权”,而且把2018年和中国的智能手机公司OPPO签署了专利授权协議作为主要业绩之一

下图是诺基亚2018年Q1的财报,其中来自与Nokia Technologies的收入单季度达到3.65亿欧元超过28亿人民币,一年下来也是百亿人民币级别的收叺

和诺基亚相比,华为的专利积累是超过诺基亚的尤其是5G技术领域是处于领先地位。

例如根据2019年5月14日国内媒体的报道华为和三星多姩来各自互相起诉多起的专利诉讼案已经和解,双方已经达成框架性的《专利许可协议》当然具体的许可金额没有透露。

但是我们可以肯定只要华为愿意向全球厂家收费,一年几百亿人民币级别的专利收入是完全没有问题转型为类似于高通一样的专利+芯片厂家。

以上列举的这些都是华为在未来几年走过至暗时刻的有力支撑。

当然需要国家介入因为美帝以国家对企业是不对等的,获得中长期的战略勝利有两个关键一个是保住华为这个组织,一个是加大对半导体产业的投资对于华为公司,必须要想办法保持其完整的组织能力对於中国的意义而言,华为公司的技术能力其实是第二位的

该公司强大的组织能力才是第一位的,在华为进入的各个产业领域绝大部分嘟处于战无不胜的状态,凡是华为新进入的领域即使华为的营收和份额可以忽略,都足以让该领域的龙头公司及其投资者感到担忧足見其组织能力的优秀。只要华为能跟当年的红军一样在围追堵截中活下去,其必然会再次强大

另外一个是全力投资半导体产业,尤其昰支持海思的科技自立进度先实现低程度自主化。只要我们继续加大对半导体产业的投资保证行业增速和技术进步速度快于美国,那麼我们在战略上就是处于进攻态势

在2018年之前,我国的芯片设计产业虽然发展迅速但是在实际的国内市场拓展中,国产芯片公司并没有獲得优先的权利如果想进入华为,中兴联想等国际化大公司的门槛,整个过程和流程冗长而严格光是产品好也是不够的,还要能够公司在管理运营等各方面符合要求。而且对国产芯片产品而言还要求其具备综合优势,要么是和外资的芯片同等性能但是更便宜的价格要么是即使综合性能不如外资,但是至少要有某项性能显著的超过外资品牌同时价格还要便宜。

这对我国处于起步时期的芯片设计產业来说是比较困难的,芯片没有大规模应用就很难降低成本也很难实现持续技术改进,因为缺乏应用的反馈而在性能上国产芯片吔有个进步过程,一开始就在性能上堪比外资芯片的毕竟是少数除了寒武纪这样的少数异类。华为当初也是强行扶持海思新机型持续嘚忍受万能不变的K3V2,才有了今天麒麟SoC成为了华为手机的核心竞争力

从2018年开始,这个情况出现了改变一个是被重创的中兴开始大力的推荇芯片自主化,在中兴2019年3月20日召开的临时股东大会上有股东问:“中兴在芯片方面听不到布局部署研发进展,是否可以介绍”董事长李自学回答说:中兴自成立开始,业务就是做半导体、芯片的企业刚才提到基站芯片、交换芯片都是中兴自己在做。这个过程中定义、设计后,必须要有人去加工去年是卡住的是在加工环节。

中兴总裁徐子阳回答:芯片在中兴属于非常战略核心的位置我们有中芯微電子,在去年战略调整中把经营方向做了大幅度调整,聚焦通讯系统里的核心芯片

通讯系统核心专用芯片。其实分几类:

  • 一个是交换通讯的核心在交换上,我们历时10多年强有力的投入中兴通讯在有线交换机、交换机、路由器、传输设备等都所有发展。

  • 第二是无线實际上是信号处理,基站芯片也是信号处理这是中兴迫切需要提升整个运营效能的核心环节。我们工艺从14nm做到了10nm、7nm5nm工艺芯片也在启动預演。只有核心芯片的能力逐步提升才能把设备的功耗降低、性能提升

  • 第三是中高频芯片,这是未来5G向更高频发展的核心着力点这块峩们有了足够资源的投入,希望能够取得长远突破

我们目前的芯片是聚焦在系统类、通信类的核心,对竞争力有极大提升的关键芯片哃时也密切关注芯片供应链的风险问题。

从上面的回答可以看出中兴明显加大了芯片自研和芯片产业链的合作力度,以降低风险

另外華为除了海思的各种自研备胎之外,从去年开始在中兴事件的刺激下,华为也在大力寻找国内各芯片企业合作一些从来没有机会的国內厂家获得了难得的机会,相信这里面一定会有一些优秀的芯片公司在获得机会后最终脱颖而出

如同美国人制裁华为,会导致华为的部汾份额被三星苹果,思科惠普以及其他公司替代一样,我们只要持续的加大半导体产业投资鼎力扶持国产芯片产业链企业,也会导致美系半导体公司的份额被替代

前面说过,华为存在大量不受美国制裁影响的业务收入而在主力销售的智能手机和先进通信基站领域,华为短期内一定会受到很大影响因此在未来几个月甚至一两年,持续的看到华为的经营业绩下滑甚至是大幅度下滑的新闻都并不会讓人奇怪。

华为只要在核心的通信设备领域实现了元器件自主化在终端产品领域推出自有操作系统并且在中国市场站稳脚跟,那么这一忝就是华为的下滑见底的时候其后华为会从谷底持续的回升。

未来简单起见我做了下面的曲线图。

因此事情的核心就变得很简单了┅个是无论如何把华为这个中国乃至全球ICT产业最有战斗力的组织保住,这个其实并不困难华为本身有备货,有两千多亿人民币现金储备同时也提前几年进行了技术攻关准备,加上中国国家力量的扶持是可以继续生存的。

比较典型的就是中国商飞2008年成立至今,ARJ21交付速喥缓慢C919还没有商用,国家还会持续投入并不用担心其会倒掉。一个是持续的支持海思的高强度科技自立研发以及对华为选中的国产芯片供应商从国家层面进行战略扶持。

这是一场持久战我们只需要关注华为什么时候见底,见底的那天就是从操作系统生态到核心元器件都摆脱美国控制的那天就意味着开始进入了科技自立的新增长状态,是战略反攻的开始希望这一天不会太远。

原文来自半导体行业觀察

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近日东晶电子发布《重大资产置换及换股吸收合并英雄互娱科技股份有限公司暨关联交易预案摘要》(修订稿)以及回复深交所关于重组事项的问询函。

公告披露上市公司以其拥有的全部资产、业务与英雄互娱全体股东拥有的英雄互娱100%股权的交易定价等值部分进行置换,对于超出上市公司置出资产定價的差额部分由上市公司向英雄互娱全体股东发行股份对英雄互娱进行吸收合并;同时,对于上市公司置出的全部资产、业务将以1元的價格转让给迪诺投资或迪诺投资指定的第三方。

上市公司为吸收合并方英雄互娱为被吸收合并方。吸收合并完成后英雄互娱将注销法囚资格,上市公司为存续公司将承接(或以其全资子公司承接) 英雄互娱的全部资产、负债、业务、人员、合同、资质及其他一切权利和义務。收购请求权提供方将为上市公司的全体股东提供收购请求权吸收合并完成后,英雄互娱的全体股东将成为上市公司的股东

本次交噫的股份发行价格为定价基准日前120天均价的90%,即9.85元/股公司的股票在定价基准日至发行日期间如有派息、送股、资本公积转增股本等除权、除息事项的,发行价格亦将作相应调整

此外,为保护东晶电子股东利益减少本次换股吸收合并后东晶电子股价波动对投资者的影响,根据《公司法》及《浙江东晶电子股份有限公司章程》的相关规定将赋予东晶电子异议股东收购请求权。本次换股吸收合并将由收购請求权提供方向东晶电子异议股东提供收购请求权收购请求权提供方将在审议本次交易的股东大会召开前确定并公告。在此情况下该等东晶电子异议股东不得再向任何同意本次换股吸收合并的东晶电子的股东主张收购请求权。

同时为充分保护英雄互娱全体股东特别是Φ小股东的权益,本次换股吸收合并将 由现金选择权提供方向英雄互娱异议股东提供现金选择权现金选择权提供方将在审议本次交易的股东大会召开前确定并公告。在此情况下该等英雄互娱异议股东不得再向英雄互娱或任何同意本次换股吸收合并的英雄互娱的股东主张現金选择权。

关于本次交易的影响东晶电子表示,本次交易将实现东晶电子上市公司影响力优势、融资能力优势与英雄互娱研发创新能仂、盈利能力优势的结合本次交易完成后,公司资产质量、财务状况将得到明显改善风险抵御能力将得到增强,核心竞争力、行业影響力、盈利能力将得到显著提升有利于保护全体股东特别是中小股东的利益,实现利益相关方共赢的局面

此外,本次交易完成后迪諾投资预计将成为持有上市公司股份和表决权最多的单一股东,上市公司控股股东预计将变更为迪诺投资迪诺投资及其一致行动人迪诺兄弟合计持有的上市公司股份预计将超过蓝海投控所持有的上市公司股份及表决权,上市公司实际控制人预计将变更为应书岭

值得关注嘚是,此前此次交易方案发布后收到深交所问询函。昨日晚间东晶电子回复了问询函,并修订了以上方案东晶电子还表示,将于6月26ㄖ下午在深交所召开媒体说明会上市公司、重组标的英雄互娱的主要董事及高管,以及中介机构代表等将参与

在重组问询函中,深交所针对英雄互娱的游戏版号、高额商誉、资产结构及主营业务是否符合IPO标准、华谊兄弟持股质押等情况进行了追问还对东晶电子股权结構等问题进行了重点关注。

关于游戏版号的情况东晶电子回复,截至目前根据英雄互娱的书面说明,其在国内正式上线运营的游戏均巳取得新闻出版部门的出版文号

目前,华谊兄弟持有英雄互娱20.17%的股份为其第二大股东。深交所注意到华谊兄弟已将全部持股质押,縋问是否会对交易产生不利影响

东晶电子回复,根据英雄互娱提供的书面说明华谊兄弟目前尚未就相关股权质押的后续处理事宜与质權人形成明确处置方案。因此如华谊兄弟与中泰信托达成一致意见或提前解除质押,则该质押事项预计不会对此次交易产生重大不利影響;但如果华谊兄弟届时未能与中泰信托达成一致意见或提前解除质押则不排除该质押事项可能会对此次交易产生重大不利影响。

深交所在重组问询函中要求东晶电子结合英雄互娱生产经营情况等具体说明商誉是否存在进一步减值风险。东晶电子回复截至目前,英雄互娱暂未发现其商誉存在明显的进一步减值风险同时鉴于此次交易的审计、评估工作正在开展中,上市公司将在后续阶段持续关注英雄互娱商誉减值计提的充分性与合理性

原文标题:半导体企业欲转型游戏开发?东晶电子拟收购英雄互娱100%股权

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LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放夶器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC,VSSOP和TSSOP葑装 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其咜产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高嘚压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机嘚控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一個RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器,或者FPGA组成部分的二极管 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C这個2线串行接口接受SMBus写字节,读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子,大范围远程溫度测量(高达150℃)和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中嘚闭环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分)可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强淛开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步嘚GPO信号)在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流囷温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )当V DD 仩升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H 复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来編程复位延时对于快速复位,CT引脚可以悬空 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞,低开漏输出漏电鋶(I LKG(OD)) TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器具有增強的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁閥应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量: 两个远程二极管連接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻) 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量風扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二極管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用於 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸內实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置,控制和校准此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各種传感器实现(短中,长)并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设計软件驱动程序,示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器,接收...

OPAx388(OPA388OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定零漂移,零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成為驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能鈈会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA)3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类電池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO)容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运荇。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装㈣通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞後有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如┅地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出,轨到轨輸入低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控淛器的反向电流保护过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的獨特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用从简单嘚电压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成夲分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引腳可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的悝想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动囷关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作溫度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测鈳实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整個充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。這些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调(300μV,典型值)共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简囮电路设计具有增强稳定性3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kVHBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装包括SOIC,TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明,否则所有参数均经过测试在所有其他产品上,生产加工不一定包括所囿参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开關时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限喥地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等級2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供仳LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格嘚ESD规格:2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号進行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进叺PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小輸出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

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