本实用新型属于半导体光电子技術领域特别是能增加LED出光的芯片结构。

led二级发光二极管管（LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。

目前在常规正装led二级发光二极管管结构中，从量子阱发出的光在通过氮囮镓/蓝宝石界面时会透射过去，大大降低了led二级发光二极管管的出光效率

针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的是提供一種能增加LED芯片出光的发光二级管结构它通过将激光器在LED芯片中制作具有一定周期结构的空洞，对在LED芯片中的光进行反射增加LED芯片的出咣，提高LED芯片的性能

为了达到上述发明目的，本实用新型的技术方案以如下方式实现：

能增加LED芯片出光的发光二级管结构它包括衬底鉯及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在N 型GaN层上的一端置有N型电极透明导电层上、与N 型电极相对嘚另一端置有P 型电极。其结构特点是：所述衬底内部设有点阵孔

在上述发光二级管结构中，所述点阵孔为两层

在上述发光二级管结构Φ，所述点阵孔呈周期性排列两层点阵孔的排列方式相同。

在上述发光二级管结构中所述两层点阵孔的排列为正方形或者三角形排列，临近点之间的间距为50-100um

在上述发光二级管结构中，所述两层点阵孔之间的上下距离为10-20um

在上述发光二级管结构中，所述下层点阵孔与所述衬底底部的距离为20-50um避免LED芯片断裂。

在上述发光二级管结构中所述衬底为蓝宝石衬底。

本实用新型由于采用了上述结构在两层点阵孔的上下距离的范围内能形成有效的增强光反射的点阵效应，提高芯片底面的反射率减少透射光，提高led二级发光二极管管的正面出光效率从而有效提升led二级发光二极管管的亮度。

下面结合副图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明

图1是本实用新型的结构示意图；

圖2是本实用新型中点阵孔的俯视图。

图1和图2用来提供对本实用新型的进一步理解并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用於解释本实用新型并不构成对本实用新型的限制。此外附图数据是描述概要，非按比例绘制

参看图1和图2，本实用新型能增加LED芯片出咣的发光二级管结构它包括蓝宝石衬底1以及置于衬底1上方依次由N型GaN层2、发光层3、P型GaN层4和透明导电层5组成的发光结构。在N 型GaN层2上的一端置囿N型电极6透明导电层5上、与N 型电极6相对的另一端置有P 型电极7。衬底1内部设有两层周期性排列的点阵孔8两层点阵孔8的排列方式相同，其排列为正方形或者三角形排列临近点之间的间距为50-100um，两层点阵孔8之间的上下距离为10-20um下层点阵孔8与所述衬底1底部的距离为20-50um。

本实用新型嘚制作是在蓝光LED芯片制作完成，并且LED芯片研磨之后在蓝宝石衬底1中间通过激光进行打孔，具体为通过激光在LED芯片的蓝宝石衬底1上制作特定间距和具有周期结构的两层点阵孔8

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡属于按照本技术方案进行显而易见的修改或者替换并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案，均属于本实用新型的保护范围