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•     场效应管的栅极相当于晶体管的基极 igbt和mos管的区别59n25，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电場效应管极将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换） igbt和mos管的区别26nm60余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管另外一极是屏蔽极（使用Φ接地）。

  场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：

  1：场效应管是电压控制器件管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件管子的导电情况取决于基极电流的大小。

   2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。

  3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定 igbt和mos管的区别20nm60晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

  4：场效应管的输入阻抗很大 igbt和mos管的区别输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大

  5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大

  
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