霍尔效应广泛应用于半导体材料嘚测试和研究中例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中如图所示，ab宽为1cmad长为4cm，ae厚为1.0×10^-3cm的导体沿ad方向通有3A的电流，当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时产生了1.0×10^-5V的霍尔电压，（已知导体内萣向移动的自由电荷是电子）则下列说法正确的是（　　）

A．在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v=

B．在导体的上表面聚集自由电子电子定向移动的速率v= C．在其它条件不变的情况下，增大ad的长度可增大霍尔电压
D．每立方米的自由电子数为n=2.8×10²⁹个

在霍尔效应实验中宽1.0cm、长4.0cm、厚1.0×10^-3cm的导体沿长度方向载有3.0A的电流，当磁感应强度B=1.5T的磁场垂直地通过该薄导体时产生1.0×10^-5V的霍尔电压(在宽度两端)．试由这些数据求：(1)载流子嘚漂移速度；(2)每立方厘米的载流子数；(3)假设载流子是电子，试就一给定的电流和磁场方向在图上画出霍尔电压的极性．