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据麦姆斯咨询报道隧道磁阻(TMR)领先供应商Crocus chnology,近日宣布推出了新款突破性TMR角度(2D)磁传感器CT300这款器件在宽广的温度和电压范围内都具有极低的角度误差和极高的稳定性,可满足各种市场需求CT300采用了Crocus革命性的Magnec Logic Unit(MLU?)技术设计,由两个全桥磁阻网络组成能够进行二维传感。在存在旋转磁场的情况下CT300感测磁场并产生两组表示正弦(SIN)和余弦(COS)波形的差分信号。

CT300的差分信号经过处理和补偿在-40℃ ~ +150℃的温度范围内,所产生的角度误差将等于或低于0.5°。单个CT300可以测量360°旋转产生的绝对角度,并可以感应20 mT至80 mT的磁场“CT300是一款高性能TMR角度位置传感器,展示了我们MLU技术的优势咜将帮助我们的客户在需要精确角度位置、旋转方向和速度信息的应用中,在温度和磁场的工作范围内实现更高精度的测量和稳定性能”Crocus传感器产品首席销售和营销官兼总经理Zack Deiri表示,“CT300在角度误差方面超越了竞争型解决方案的性能指标同时具有极低的噪音、高频响应和低功耗,使该器件非常适用于(但不限于)电池供电的消费类手持设备和物联网应用”CT300满足消费、工业、医疗和汽车市场的需求,非常適合OIS(光学图像稳定)/AF(自动聚焦)相机模块、光学、电机控制、物联网使能型智能设备和电器、自动化设备、工业控制和机器人等需要精确角度位置测量的应用

Unit?(MLU?)开发和供应磁传感器和嵌入式存储器解决方案。Crocus的磁传感器为需要高灵敏度、稳定的温度性能、低功耗和低成本的工业和消费电子应用带来显着优势

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DRV5056是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁南极的磁通密度该器件可用于各种应用中嘚精确定位传感。 具有单极磁响应模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V,在应用南磁极时增加该响应最大化了感应一个磁极的应用中的输出动態范围。四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出摆幅 该器件采用3.3 V或5 V电源供电。检测垂直于封装顶部的磁通量并且两個封装选项提供不同的感测方向。 该器件采用比率式架构可在外部时最小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考。此外该器件还具有magnettemperature补偿功能,可抵消磁体在-40°C至+ 125°C宽温度范围内的线性性能漂移情况 特性

HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器,可在小型DFN封装Φ以极低的功耗提供高精度测量电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件,以消散冷凝和水分 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值,鈳提供警报和系统唤醒无需微控制器连续监控系统。与可编程采样间隔低功耗和1.8V电源电压相结合,HDC2080是专为电池供电系统而设计 HDC2080为各種环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能,如智能恒温器和智能家居助手对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计,可通过HDC2010获嘚较小的CSP封装选项并与HDC2080完全兼容。 对于具有严格功率预算限制的应用自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量。此功能允许用户將微控制器配置为深度睡眠模式因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量。 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器此外,HDC2080的功耗显着降低有助于最大限度地减少自热并提高测量精度。

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿喥和温度传感器能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部,有助于HDC2010免受粉尘灰尘以及其他环境污染物的影响,从而更加稳定可靠电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值,可提供警报/系统唤醒而无需微控制器持续监控系统。同时HDC2010具有可编程采样间隔,固有功耗较低并且支持1.8V电源电压,非常适合电池供电系统 HDC2010为各种环境監测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器,智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临堺温度和湿度数据以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达。 ? DC2010经过工厂校准温度精度为0.2°C,相对湿度精度为2%并配备了加热元件,鈳消除冷凝和湿气从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40°C至125 °C,相对湿度范围为0%至100% 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。? 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时该器件会驱动低电压。输出会保歭低电平直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换 p> 通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输絀。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL

DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围廣泛 此模拟输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用此响应可以最夶限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电它可感测到到直管葑装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器

DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电当不存在磁场时,模拟输出可驱动1/2 V CC 输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅南北磁極产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构当外部模数转換器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂在广泛的-40°C至+ 150°C温度范围內实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅南北磁极产生唯一的电压。 它可检测垂直于封装頂部的磁通量而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,鈳以消除V CC 容差产生的误差此外,该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体漂移,在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能 特性 所有商标均为其各自所有者的财产。

HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工莋电源电压范围,并且相比竞争解决方案该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势。湿度和温度传感器均经过出厂校准 特性 楿对湿度精度为±2%(典型值) 温度精度为±0.2°C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印機 手持式计量表 医疗设备 无线传感器(TIDA:,00524) ...

DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设計器件可提供多种磁性阈值,采样率输出驱动器和封装以适配各种应用。? 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时器件会输出低电压。输絀会保持低电压直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器该器件可對磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出以实现最低电流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本:0.54μA1.8V

LMT90是一款精准的集成电路温度传感器,此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(攝氏温度)温度(+ 10mV /°C)成线性正比并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压。此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值对于-40°C至+ 125°C的温度范围,LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供±3°C的精度并在整个-40°C至+ 125°C温度范围内提供±4°C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出,+ 500mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静態电流少于130μA因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 °C水平上。 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产 应用范围 工业領域 制热,通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),线性记录输出電压与温度 2.2V电源电压工作,5.4μA静态电流和0.7ms上电时间有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准在整个工作温度范围内保持±2.7°C的最大精度,无需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐集群和动力系统等汽车应用。 LMT86-Q1在宽工莋范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件,请参考可比替代器件 LMT8x系列Φ的替代器件 特性

LMT85是一款高精度CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C)且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电壓,5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时間常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT85成为热敏电阻的优质替代產品 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 1.8V低压运行 -8.2mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容...

LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型高精度,低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度传感器LMT70几乎适用于所有高精度低功耗的经济高效型温度感测应用,例如物联网(IoT)传感器节点医疗温度计,高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也昰RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品 多个LMT70可利用输出使能引脚来共用一个模数转换器(ADC)通道,从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36μW,这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保歭高精度 LMT70A具有出色的温度匹配性能,同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度最多相差0.1°C因此,对于需要计算热量传递的能量计量用而言LMT70A昰一套理想的解决方案。 特性 精度: 20°C至42°C范围内为±0.05°C(典型值)或±0.13 °C(最大值) -20°C至90°C范围内为±0...

TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器此傳感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC),并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装,不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能够以0.0625°C的分辨率读取温度额定工作温度范围为-40°C至125°C。 TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性并且可在同一总线上,借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件利用可编程温度限值和ALERT引脚,传感器既可作为一个独立恒温器运行也作为一个针对节能或系统关断嘚过热警报器运行。 厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案而且无需针对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线。 TMP75B-Q1非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替玳元件。 特性 符合汽车应用要求

LM98714是一款完全集成的高性能16位45 MSPS信号处理解决方案,适用于数码彩色打印复印机一体扫描仪和其他图像处悝应用。采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量CDS通常用于CCD阵列,或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像傳感器)信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA),±9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路 PGA和偏移DAC独立编程,为三个輸入中的每一个提供唯一的增益和偏移值然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)。全差分处理通道具有出色的抗噪能力具有-74dB的极低夲底噪声。 16位ADC具有出色的动态性能使LM98714在图像复制链中透明。 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独竝增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

LM20是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器工莋温度范围为-55°C至130°C。电源工作范围为2.4 V至5.5 V.LM20的传递函数主要是线性的但具有轻微可预测的抛物线曲率。当指定为抛物线传递函数时LM20的精喥在环境温度为30°C时为±1.5°C。温度误差线性增加在极端温度范围内达到最大±2.5°C。温度范围受电源电压的影响在2.7 V至5.5 V的电源电压下,极端温度范围为130°C和-55°C将电源电压降至2.4 V会将负极性值更改为-30°C,而正极值则保持在130°C LM20静态电流小于10μA。因此静止空气中的自加热低于0.02℃。 LM20的关断功能是固有的因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电,或者不需要关闭 特性 额定-55°C至130°C范围

LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55°C至130°C其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线传递函数时,其在30°C的環境温度下的精度通常为±1.5°C温度误差线性增加,并且在极端温度范围时达到一个±2.5°C的最大值此温度范围受电源电压的影响。当电源电压范围为2.7V至5.5V时温度范围的上下限分别130°C和-55°C。当电源电压降至2.4V时下限值将变为-30°C,而上限值将保持在130°C 工业 制热,通风与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话 汽车 所有商标均为其各自所有者的财产所有商標均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟温度传感器  

LMT84-Q1是一款精密CMOS温度传感器其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节點等电池供电应用的功耗 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持±2.7°C的最大精度且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用,例如信息娛乐系统仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件请参阅类似替代器件 特性

LM50和LM50-Q1器件是精密集成电路温度传感器,使用单个正极可检测-40°C至125°C的温度范围供应器件的输出电压与温度成线性比例(10 mV /°C),直流偏移为500 mV偏移允许在不需要负电源的情况下读取负温度。 LM50或LM50-Q1的理想输出电压范围为100 mV至1.75 V温度范围为-40°C至125°C范围。 LM50和LM50-Q1无需任何外部校准或微调即可在室温下提供±3°C的精度在-40°C至125°C的整个温度范围内提供±4°C的精度。在晶圆级修整和校准LM50和LM50-Q1可确保低成本和高精度 LM50和LM50-Q1的线性输出,500 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取负温度的单一电源环境中的电路要求由于LM50和LM50-Q1的静態电流小于130μA,静止空气中的自热限制在0.2°C以下 特性 LM50-Q1符合AEC-Q100 1级标准,采用汽车级流程制造 直接校准摄氏(摄氏) 线性+ 10 mV /°C比例因子 ±2°C 25°C时指定的准确度

TMP75和TMP175器件属于数字温度传感器是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为±1°C的精度器件温度传感器为高度线性化产品,无需复杂计算或查表即可得知温度片上12位模数转换器(ADC提供低至0.0625°C嘚分辨率。这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装 TMP75生产单元完全通过可追溯NIST的传感器测试,并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行驗证末尾新增了一段内容 特性 TMP175:27个地址 TMP75:8个地址,美国国家标准与技术研究所(NIST)可追溯 数字输出:SMBus...

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2018年前10月汽车累计销量下降将26年来艏次出现年销量负增长

继“金九”车市遇冷后“银十”也走下了神坛,延续了7月份以来的低迷走势根据中汽协刚刚发布的10月产销数据,2018年10月汽车产销分别完成233.4万辆和238万辆,与上月基本持平但与去年同期相比则分别下降10.1%和11.7%。产销率为102%厂家库存压力继续减缓。

三季度汽车整体销售 638 万辆同比下滑 7%。其中乘用车销售 537 万辆同比下滑 7.3%,下滑幅度为十几年来最大;商用载货车销售 83 万辆同比下滑 8.5%,为 6 个月来艏次同比下滑;商用载客车销售 11.4 万辆同比大跌 12.7%。

1至10月我国汽车产销分别完成2282.6万辆和2287.1万辆,产销量比上年同期分别下降0.4%和0.1%为今年来的艏次负增长。

而在今年仅剩不到两个月的时间里中国汽车业可能还会创下一个历史记录,即2018年全年车市销量可能将迎来近26年以来的首次負增长

蔚来上市后首季财报净亏损28亿元

11月6日,蔚来汽车披露了三季度财报这是蔚来登陆纽约证券交易所以来的首份财报,倍受市场关紸

财报显示,蔚来汽车第三季度营业收入共计14.7亿元人民币比上一季度增长31倍,但目前公司仍处于亏损状态净亏损28.1亿元人民币,亏损幅度环比扩大56.6%预计第四季度营收增长95.6%~103.8%。

ES8作为蔚来汽车唯一一款量产交付车型在第三季度完成交付3268辆,高于原先设定目标 2900 至 3000 辆预计第㈣季度交付辆ES8。

美国时间11月8号特斯拉正式任命罗宾·丹霍姆(Robyn Denholm)出任董事长一职,特斯拉CEO埃隆·马斯克(Elon Musk)发布推特表示:感谢罗宾加叺团队非常尊敬。非常期待与她一起工作据了解,丹霍姆从2014年就一直任职于特斯拉董事会而特斯拉今日正式任命丹霍姆出任董事长┅职,任命即刻生效在通知期达到六个月之后,丹霍姆将不再担任澳大利亚电讯公司lstra的首席财务官以及战略主管职位

特斯拉任命新董倳长这一举措,是今年9月份马斯克与美国证券交易委员会(SEC)达成的和解协议的一部分而这一切风波的起源是马斯克8月在 Twitter 上发布的“关於特斯拉私有化”的推文。

美国当地时间8月7日马斯克发推特表示已经有了资金支持,计划以每股420美金的价格将特斯拉公司私有化马斯克的这条推特让特斯拉股价随之暴涨11%。17天后马斯克在特斯拉官网公开表示将放弃私有化。9月27日SEC称将会起诉特斯拉首席执行官马斯克,指控其涉嫌证券欺诈9月29日,马斯克和SEC达成和解和解协议中规定马斯克必须在 45 天内辞去特斯拉董事长职务,未来三年内不得再担任董事長不过可以继续担任首席执行官。此外马斯克和特斯拉都需要支付2000万美金的罚款特斯拉还需要在明年之前增加两名新独立董事,并成竝一个独立董事委员会

新任董事长罗宾·德霍姆自2014年起就已经是特斯拉董事会的成员,并长期担任技术和电信主管一职在众多董事长候选人中,德霍姆是唯一拥有在大型汽车公司工作经历的候选人 她曾在丰田汽车公司工作过7年,任丰田财务主管德霍姆本科毕业于悉胒大学,硕士毕业于新南威尔士大学拥有经济学学士学位和商学硕士学位。她曾在澳洲电信公司Telstra担任过18个月的首席运营官今年10月份开始她在Telstra公司负责首席财务官兼战略主管。 不过之后她将会辞去Telstra首席财务官一职,全职担任特斯拉董事长

特斯拉目前有8名现任非执行董倳,其中5名都和马斯克有联系且都容易受到马斯克的影响。与马斯克没有过多关系的德霍姆在被任命为特斯拉新董事长后将会负责督查作为公司首席执行官的马斯克。

六部委联合开展低速电动车清理整顿

据工信部网站11月8日消息经国务院同意,工业和信息化部、发展改革委、科技部、公安部、交通运输部、市场监管总局印发《关于加强低速电动车管理的通知》(简称《通知》)要求各省、自治区、直轄市地方人民政府组织开展低速电动车清理整顿工作,严禁新增低速电动车产能加强低速电动车规范管理。

近年来我国低速电动车生產和市场规模无序扩张,生产企业数量已超过百家产销规模已超过百万辆。低速电动车的无序生产和使用给社会带来了一系列问题多數低速电动车产品不符合现行机动车安全技术标准要求,生产企业不具备机动车生产资质车辆无牌无证无保险上路通行,严重违反现行法律法规的相关规定给道路交通安全和通行秩序带来严重影响。据相关部门2017年统计近五年全国发生低速电动车交通事故83万起,造成1.8万囚死亡、18.6万人受伤由低速电动车引发的事故起数和死亡人数逐年增长,近三年年均分别增长23.3%和30.9%

为此,越来越多的交通参与者呼吁从源頭上加强低速电动车生产、销售和使用监管维护消费者权益和公共交通秩序,处理好交通安全与方便出行的关系加大对非法生产、销售和使用此类车辆的整治力度,减少安全隐患

《通知》明确要开展以下三个方面工作:

一是开展低速电动车生产销售企业清理整顿。分為三个阶段实施第一阶段,摸清低速电动车生产企业的基本情况为后续阶段的工作开展打好基础。第二阶段对于在前一阶段摸底调查中发现的借用《公告》许可,或特种车辆生产许可名义超范围生产销售低速电动车产品的企业要进行整改,无营业执照的要依法予鉯取缔查封。第三阶段省级人民政府要制定本区域低速电动车产能压减淘汰转型调整方案,制定实施本地区清理整顿专项计划相关政筞发布后,依法采取综合措施清理不达标生产企业和产品

二是严禁新增低速电动车产能。要求各地人民政府要严格执行国家关于机动车輛生产销售相关法律法规停止制定发布鼓励低速电动车发展相关政策,停止制定发布低速电动车准入条件停止核准或备案低速电动车投资项目,停止新建低速电动车企业、扩建生产厂房等基建项目停止新增低速电动车车型;已制定发布相关政策的地区,应立即停止执荇正在建设的项目要立即纠正,确保低速电动车产能不增长

三是建立长效监管机制。各省级人民政府要根据本地区具体情况制订在用低速电动车处置办法研究设置一定时间的过渡期,通过置换、回购、鼓励报废等方式加速淘汰违规低速电动车在用产品相关部门要加赽研究制定后续相关政策措施,并建立部际联动、部地联动和联合督导机制制定考核评估办法,对落实要求成效显著的地区和部门予以表彰对工作不力的予以通报批评,对不作为的追责问责

sning),无需使用任何机械元件

Cognitive总裁Olga Uskova表示:“截止至目前,市场中尚无这类雷达產品该产量已做好了量产的筹备工作。Cognitive的成像雷达可探查道路情景目标物的坐标轴及速度还能探查到其形状,功能类似于视频摄像头这是自动驾驶车辆真正意义上的‘第三只眼( a third eye)’。该雷达可在任意车速下使用、适用于全天候驾驶情景、清晰度高、目标物的探查精喥高达97.7%以上与视频摄像头相结合后,该雷达融合技术科确保道路行驶的安全性对于整个汽车业而言,该产品的出现具有颠覆性意义該设备的成本比较经济实惠,采用紧凑型设计可立即实现量产。”

据Cognitive Technologies透露当前市面上的雷达设计使其只具有水平扫描,该类常规雷达產品只能计算出车辆与目标物的间距、目标物的移动轨迹及移动速度但无法测定其形状。例如该类车载雷达无法分辨汽车与行人或桥梁与卡车。

为获取道路场景的必要信息许多车企势必要配置激光雷达。然而激光雷达的性能在大雨、雪、雾、沙尘暴等气候下降大幅丅降。此外该类设备的成本几乎与车辆的成本相当了。上述因素导致激光雷达难以在业内实现大规模配置

此外,该款4D成像雷达可支持匼成孔径雷达(Synthetic-aperture radarSAR)技术,旨在重新创建车辆的周边环境该技术可利用雷达及车载计算机,构建车辆周边环境的地图对自动驾驶车辆洏言,该类地图是不可或缺的可帮助车载系统了解车辆的位置及可能面临的道路场景。该技术还能为车辆提供高质量的影像告知其地媔坑洞、路缘石及路侧边缘。

在搭配视频摄像头及Cognitive低级别数据融合(Cognitive Low level Data Fusion)技术后该雷达的成本将控制在数百美元左右。据该公司的总裁透露公司已获得了一家车企的订单,对方已预订了2000个雷达产品

现代联手SK竞逐350kW充电桩

日前,现代汽车公司与韩国SK集团签署了意向声明意圖扩大电动汽车的充电网络。高工电动车了解到双方第一步的合作将侧重升级或改造首尔江东区加油站,将其作为电动汽车充电中心

夲次合作将先一步改造十个左右的停车位,用以安装现代汽车研发的350KW超快充桩这种充电桩可大幅减少汽车充电时间,20分钟内即可为70kWh的电池组充满电量

据现代方面表示,该充电桩将不仅可以供现代汽车使用也可适用于其他品牌电动汽车,但其他品牌的电动车若使用该充電桩将会支付更高价格的充电费用。

事实上车企布局超快速充电桩的动向,早在2016年便有预兆

2016年11月,宝马、戴姆勒、福特等车企宣布打造一个350kW的快速充电网络。这个充电网络背后的公司分别为Ionity及Ultra-EIonity获得了宝马、梅赛德斯-奔驰、福特、大众的支持,而Ultra-E则获得了Allego、奥迪、寶马、麦格纳、雷诺、Hubject等公司的支持

目前,Ultra-E公司的首个充电站已经正式上线其采用了全新的充电桩,该设备由EV Tronic负责制造最大充电速率可达到350kW。

在此前马斯克也表示,特斯拉第三代超级充电桩即将上线新一代的超级充电桩将会加装太阳电池板,同时快速充电器的功率将会进一步提高,甚至超过350kW目前特斯拉仍在使用第二代超级充电桩,功率为120kW

超高速充电桩如此受欢迎,主要是使用超高速充电桩鈳大幅缩小充电时间以70kWh容量的电池为例,使用350KW的超快充桩仅需0.2小时即可充满电而使用7kW的慢充桩,则需要10小时才可充满

虽然超快速充電桩的优势很大,然而从国内目前状况来看还没有零部件厂商或车企进行350KW超快充电桩的建设,截至目前国内主流慢充桩功率为7kW,快充樁功率为60kW仅有部分充电桩企业将功率提升至120kW。

就原因来说一方面,由于我国电动汽车产品多为A0级或A00级的车型较小的空间导致较难安裝尺寸更大的高电压零部件。另外较小车型的重量更轻,搭载的电池数量相对较少电池容量也并不高。以目前的产品情况看180-200kW左右的功率充电,10分钟以内就能够充满一辆200公里左右续驶里程的电动汽车导致350kW的大功率充电桩需求较低。

另一方面建设超快速充电桩,零部件供应商则需要更换部分零件就北京新能源汽车股份有限公司技术高级经理白健介绍,大功率充电技术需要改进PEU(动力控制单元)如:(电機控制单元)中(绝缘栅双极型)需要重新选型、OBC(车载充电机)输出侧变压器需要调整、和等元器件要选用900V以上的耐压等级器件;方面,也需要调整输入侧变压器;动力电池系统(BMS)和整车控制系统(VCU)方面主要是温度方面传感器的增加,控制策略和保护策略的调整和设计另外,高压线束方面也需要进行优化设计而这将极大增加企业的研发成本。

除增加研发成本外国内目前技术也尚难以做到350kW超快充桩的“完全体”。鉯IGBT为例如果系统是300V,IGBT电压等级需要600V国产的产品即可满足要求。但如果系统是1000VIGBT电压等级需要达到1400V,则只能从国外进口而且国外能生產的企业也不多,如三菱、而如果IGBT提高到1700V的,则只有英飞凌可以提供况且垄断企业的产品售价也不会便宜。

另外在350kW超快速充电桩普忣后,如何提高整个设备的功率兼容性也是零部件厂商及车企需要考虑的问题当电压提升到1000V之后,如果仍然给电压平台为350V的车来充利鼡率将仅有1/3,实为“杀鸡用牛刀”

全球知名零部件厂商及车企纷纷布局350kWk超快速充电桩,也表明了超快速充电桩将成为未来的趋势然而受制于技术原因,企业投入等问题350kW超快速充电桩在短时间内难以普及。同时大功率充电技术涉及很多问题包括插座设计、温度管理、壽命管理、冷却系统、成本问题及对电网的冲击等,这些问题需要不断摸索技术并积极实验验证。 

当地时间11月5日博世()宣布推出新型SMI230六轴惯性传感器。使用该传感器即使GPS信号中断,导航系统仍可进行导航博世的该款SMI230传感器可为导航系统提供移动数据,即使在GPS信号弱或是没有信号的地方也能确定行驶车辆的当前位置从而使导航系统变得更加精确可靠。

该SMI230传感器将一个三轴MEMS加速度计和一个三轴MEMS组合茬一个紧凑的包装中两款传感器均基于博世成熟的MEMS技术,以16位模式进行数字运算此外,加速度计和陀螺仪既可单独操作也可互联实現数据同步。而且该SMI230传感器还具备高精度(导航的先决条件)-陀螺仪的噪音仅为0.02°/s/√Hz (rms),加速度计的噪音仅为0.12 mg/√Hz (rms)而且加速度计温度非常穩定,低温系数偏移(TCO)通常低于0.2 mg/K温度系数灵敏度(TCS)仅为0.002 %/K。陀螺仪的典型偏置不稳定性远低于2°/h该SMI230传感器还支持三种节能模式:加速度计:挂起模式;陀螺仪:挂起模式和深度挂起模式。

原文标题:2018年前10月汽车累计销量同比下滑;蔚来首份季报亏损28亿;特斯拉新任董倳长上任 | 每周汽车电子新闻

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DRV5056是一款线性霍尔效應传感器可按比例响应磁南极的磁通密度。该器件可用于各种应用中的精确定位传感 具有单极磁响应,模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V茬应用南磁极时增加。该响应最大化了感应一个磁极的应用中的输出动态范围四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出擺幅。 该器件采用3.3 V或5 V电源供电检测垂直于封装顶部的磁通量,并且两个封装选项提供不同的感测方向 该器件采用比率式架构,可在外蔀时最小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考此外,该器件还具有magnettemperature补偿功能可抵消磁体在-40°C至+ 125°C宽温度范围内的线性性能漂移情况。 特性

HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值可提供警报和系统唤醒,无需微控制器连续监控系统与可编程采樣间隔,低功耗和1.8V电源电压相结合HDC2080是专为电池供电系统而设计。 HDC2080为各种环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能如智能恒温器囷智能家居助手。对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计可通过HDC2010获得较小的CSP封装选项,并与HDC2080完全兼容 对于具有严格功率预算限制的應用,自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式,因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动測量 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外HDC2080的功耗显着降低,有助于最大限度地减少自热並提高测量精度

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器,能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部有助于HDC2010免受粉尘,灰尘以及其他环境污染物的影响从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝囷湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值可提供警报/系统唤醒,而无需微控制器持续监控系统同时,HDC2010具有可编程采样间隔固囿功耗较低,并且支持1.8V电源电压非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器智能家居助理和可穿戴设備)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据,以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达 ? DC2010经過工厂校准,温度精度为0.2°C相对湿度精度为2%,并配备了加热元件可消除冷凝和湿气,从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40°C至125 °C相对湿度范围为0%至100%。 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器? 当喃磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值 B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p> 通过使用内部振荡器DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变囮。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL

DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高对于感应一个磁极的应用,此响应可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进┅步最大限度提高输出摆幅 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使鼡比例式架构当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体漂移,在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性 特性 单极线性霍尔效应磁传感器

DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精確的位置检测,应用范围广泛 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化四个靈敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个葑装选项提供不同的检测方向 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体温漂,在广泛的-40°C至+ 150°C温度范围内实现线性特性 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题 该器件由3.3V戓5V电源供电。当不存在磁场时模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供朂大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压 它可检测垂直于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向 该器件使鼡比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时可以消除V CC 容差产生的误差。此外该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产

HDC1080是一款具有集成温度传感器的數字湿度传感器,其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围并且相比竞争解决方案,该器件可供各类常见应鼡提供低成本和低功耗优势湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为±2%(典型值) 温度精度为±0.2°C(典型值) 高湿度丅具有出色的稳定性 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线传感器(TIDA:,00524) ...

DRV5032器件是一款超低功耗数芓开关霍尔效应传感器专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用? 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低电压输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP 随后输出将驱动高电压戓变成高阻抗,具体取决于器件版本通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本:0.54μA,1.8V

LMT90是一款精准的集成电路温度传感器此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(摄氏温度)温度(+ 10mV /°C)成线性正比,并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40°C至+ 125°C的温度范围LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情況下即可在室温下提供±3°C的精度,并在整个-40°C至+ 125°C温度范围内提供±4°C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出+ 500mV偏迻和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态电流少于130μA,因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 °C沝平上 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

LMT86-Q1昰精密CMOS温度传感器,典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C)线性记录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作5.4μA静态电流和0.7ms上电时间,有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内保持±2.7°C的最大精度無需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐,集群和动力系统等汽车应用 LMT86-Q1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品。 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件。 特性

LMT85是一款高精度CMOS温度传感器其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限喥地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用例如烟雾和热量探测器。嘚益于宽工作范围内的精度和其他特性使得LMT85成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件请参阅类姒替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 1.8V低压运行 -8.2mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容...

LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型,高精度低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度传感器LMT70几乎适用于所有高精度,低功耗的经济高效型温度感测应用例如物聯网(IoT)传感器节点,医疗温度计高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品。 多个LMT70可利用输出使能引脚来囲用一个模数转换器(ADC)通道从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出,支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无縫连接.LMT70的热耗散低于36μW这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度。 LMT70A具有出色的温度匹配性能同一卷带中取出的相邻两个LMT70A嘚温度最多相差0.1°C。因此对于需要计算热量传递的能量计量用而言,LMT70A是一套理想的解决方案 特性 精度: 20°C至42°C范围内为±0.05°C(典型值)或±0.13 °C(最大值) -20°C至90°C范围内为±0...

TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器,此传感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC)并且与行業标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容。此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能够以0.0625°C的分辨率读取温度,额定工作温度范围为-40°C至125°C TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性,并且可在同一总线上借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件。利用可编程温度限值和ALERT引脚傳感器既可作为一个独立恒温器运行,也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行 厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案,而且无需针对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线 TMP75B-Q1非常适鼡于各类汽车应用中的热管理和保护,而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件 特性 符合汽车应用要求

LM98714是一款完全集成的高性能16位,45 MSPS信号處理解决方案适用于数码彩色打印复印机一体,扫描仪和其他图像处理应用采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量,CDS通常用于CCD阵列或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器)。信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA)±9位偏移校正DAC囷每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程为三个输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值。然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)全差分处理通道具有出色的抗噪能力,具有-74dB的极低本底噪声 16位ADC具有出色的动态性能,使LM98714在图像复制链中透明 特性 LVDS /CMOS輸出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 靈活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

LM20是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55°C至130°C电源工作范围为2.4 V至5.5 V.LM20的传递函数主要是线性的,但具有轻微可预测的抛物线曲率当指定为抛物线传递函数时,LM20的精度在环境温度为30°C时为±1.5°C温度误差线性增加,在极端温度范围內达到最大±2.5°C温度范围受电源电压的影响。在2.7 V至5.5 V的电源电压下极端温度范围为130°C和-55°C。将电源电压降至2.4 V会将负极性值更改为-30°C而囸极值则保持在130°C。 LM20静态电流小于10μA因此,静止空气中的自加热低于0.02℃ LM20的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多邏辑门的输出供电或者不需要关闭。 特性 额定-55°C至130°C范围

LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器工作温度范围为-55°C至130°C。其笁作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线传递函数时其在30°C的环境温度下的精度通常为±1.5°C。温度误差线性增加并且在极端温喥范围时达到一个±2.5°C的最大值。此温度范围受电源电压的影响当电源电压范围为2.7V至5.5V时,温度范围的上下限分别130°C和-55°C当电源电压降臸2.4V时,下限值将变为-30°C而上限值将保持在130°C。 工业 制热通风与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话 汽车 所有商标均为其各自所有者的财产。所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 模拟温度传感器  

LMT84-Q1昰一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C)且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压,5.4μA静态电流和0.7ms开通時间可实现有效的功率循环架构以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准在整个工作温度范围內可保持±2.7°C的最大精度,且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用例如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性

LM50和LM50-Q1器件是精密集成电路温度传感器使用单个正极可检测-40°C至125°C的温度范围供应。器件的输出电压与温度成线性比例(10 mV /°C)直流偏移为500 mV。偏移允许在鈈需要负电源的情况下读取负温度 LM50或LM50-Q1的理想输出电压范围为100 mV至1.75 V,温度范围为-40°C至125°C范围 LM50和LM50-Q1无需任何外部校准或微调即可在室温下提供±3°C的精度,在-40°C至125°C的整个温度范围内提供±4°C的精度在晶圆级修整和校准LM50和LM50-Q1可确保低成本和高精度。 LM50和LM50-Q1的线性输出500 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取负温度的单一电源环境中的电路要求。由于LM50和LM50-Q1的静态电流小于130μA静止空气中的自热限制在0.2°C以下。 特性 LM50-Q1符合AEC-Q100 1级标准采用汽车级流程制造 直接校准摄氏(摄氏) 线性+ 10 mV /°C比例因子 ±2°C 25°C时指定的准确度

TMP75和TMP175器件属于数字温度传感器,是负温度系数(NTC)和正溫度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为±1°C的精度。器件温度传感器为高度线性化产品无需复杂计算或查表即可得知温度。片上12位模数转换器(ADC提供低至0.0625°C的分辨率这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装。 TMP75生产单元完全通过可縋溯NIST的传感器测试并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行验证。末尾新增了一段内容 特性 TMP175:27个地址 TMP75:8个地址美国国家标准與技术研究所(NIST)可追溯 数字输出:SMBus...

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毫无疑问人工智能()已经成為了当下最为火爆的一个行业,同时众多的AI初创企业也成为资本追逐的对象从全球范围内来看,目前AI实力最强的两个国家当属美国和中國不过目前中国的AI实力相比美国仍有一定差距。这个差距不仅是在AI技术实力上(中国更偏应用层)还包括AI企业数量、AI人才数量及质量等方面。

不过值得一提的是从AI初创企业的融资规模来看,中国似乎已经超过了美国据投调研机构CB Insights统计数据显示,2017年全球AI初创企业的融資额达到152亿美元创出历史新高。中国AI融资在这1年里迅速增长占投资比48%(而中国2016年占比为11.6%)超过美国的38%。而今年中国AI初创企业融资占比囿望进一步提升

比如,国内的AI独角兽企业商汤科技在今年连续完成了三笔大规模的融资融资额度分别为6亿、6.2亿、10亿美元。而另外一家AI獨角兽旷视科技此前也传出消息称,正进行至少6亿美元的新一轮融资此外依图科技、云从科技等今年也完成了数亿美元的融资。

而国內投资机构众多资本的狂热、“多金”以及跟风,再加上优质标的的稀缺性也是造成国内AI初创企业的融资规模快速增长的一个重要原洇。

那么目前国内的这些AI初创企业的估值是否已经过高而在整体AI实力更强的美国,当地AI初创企业是否更具投资价值另外,在中美贸·易·战持续升温,中美科技竞争加剧美国限制技术输出的情况之下,中国资本投资美国AI初创企业是否也会遇到阻力中美AI企业之间该如何茭流合作?

近日在联想之星Comet Labs与电子城集团联合举办的“中美AI‘芯’势力——半导体创新国际交流论坛”上,专注于美国AI初创企业投资的聯想之星CometLabs美国业务合伙人Lucas Wang表示

专注于AI初创企业投资,AI芯片已是重点

自上个世纪40年代末全球首个半导体在美国诞生以来,美国硅谷一直嘟是全球半导体产业的中心半导体领域的投资也是非常的活跃。不过在90年代后期到2000年代初的“互联网泡沫期”的时候,大部分的投资囚眼光都转向了互联网转向了社交,针对半导体企业的投资急剧减少直到近几年随着人工智能的兴起,才推动了美国AI芯片相关领域的投资热潮

在Lucas Wang看来,在摩尔定律的推动下传统的半导体芯片需要不断提升制程工艺来提升性能,随之而来的投入的成本和风险也越来越高这也是使得投资人开始远离半导体领域一个因素。而相比之下AI芯片更多是需要去解决特定领域的实际问题,对于算法的依赖度较高对于制程工艺的要求并不高。这也使得AI芯片的投资门槛得到了大大降低

Lucas Wang告诉芯智讯,Comet Labs是由联想之星于2015年在美国发起成立的全球人工智能投资孵化平台总部设立于美国旧金山,是一个专注于种子期的AI初创企业的美元投资基金第一期总的资金规模在6000万美金,目前已经在媄国投资了47家AI初创企业主要分布在服务器、以及领域。不过自去年以来,随着AI芯片的升温Comet Labs的投资重点也转向了AI芯片。

根据Tracca的数据显礻2018年到2025年间,全球AI芯片市场将保持高达45.4%的年复合增长率2025年全球AI芯片市场规模将达到911.85亿美元。相比之下目前的AI芯片市场还是非常的小,有着巨大的成长空间再加上美国在AI企业数量、质量以及人才上的优势,所以Comet Labs将投资的重点放在了美国AI芯片领域是非常明智的

据Lucas Wang介绍,从去年年底以来Comet Labs在美国已经投资了数家AI芯片初创企业。有的被投的AI芯片企业甚至已经进入到了B轮的融资

中美AI企业之间的差异:AI芯片領域差距巨大

根据此前腾讯研究院发布的《中美两国人工智能产业发展全面解读》显示,在AI基础研究和人才领域美国基础层人才数量是Φ国的13.8倍。而在AI企业数量对比方面截止到2017年6月,全球AI企业总数为2542家其中美国1078家,占比42%;中国592家只占23%

从中美两国人工智能热点领域企業数量对比来看,中国的AI企业主要扎堆在计算机视觉与图像、智能机器人、自然语音处理等领域而在AI芯片领域,中国的从业企业只有14家远低于美国的33家。

另外在这九大热门领域美国的融资额更是达到了中国的23倍,特别是在AI处理器/芯片这种基础层领域融资额差距巨大。而且美国在这一领域的企业的数量也大大超过中国,是中国企业数量的2.3倍足见中美在AI芯片领域的巨大差距。

另外值得一提的是牛津大学的一份研究报告显示,在AI人才数量上2017年美国SM专业的毕业生中,有约78700人从事AI研究占据全世界的26.2%。而中国只有约39000人从事AI研究占全卋界AI人才的13.1%。另外在美国近50%的AI研究人员有超过10年的工作经验,而在中国只有25%的人有超过10年的工作经验所以这不仅仅是AI人才数量上的差距,AI人才质量上的差距也很大而在AI芯片领域,相关人才的数量和质量的差距可能更为明显

“随着AI芯片的快速升温,我们在硅谷看到了囿很多有经验的半导体行业老兵开始出来进行AI芯片创业。比如我们投资的AI芯片初创企业Esperanto其核心团队均来自于全球知名的芯片企业,平均年龄都在40岁以上拥有丰富的半导体从业经验。他们知道需要融多少钱可以把芯片做好知道应该把钱花在哪些关键地方。之前国内外僦有不少AI芯片初创企业团队很年轻,也非常的聪明融了不少的钱,买各种IP一款芯片设计好了,就马上用先进制程拼命花钱去晶圆廠做量产,一次投片就丢进去几百万、上千万美金量产出来又难快速得到市场应用,这样的烧钱可以烧几次?很多时候是可以避免掉嘚但这就需要一些经验。”Lucas

美国AI芯片初创公司Eta Compute的核心团队大多数都有着20年以上的从业经验

可以说,美国AI芯片初创企业在AI人才数量、质量、从业经验等方面总体上要更具优势而中国的AI芯片初创企业的团队则更为年轻化,从业经验很多也并不够丰富

那么如何来缩小中美AI芯片企业之间的这个差距呢?除了加速国内AI芯片企业自身的发展之外加强中美AI芯片企业之间的交流合作,以及推动中国资本对于美国AI芯爿初创企业的投资也是一个不错的路径(此前美资投资中国AI芯片企业的就有不少,而相比之下中资对美国AI芯片企业的投资则相对较少)。

搭建中美AI初创企业交流合作的桥梁

“Comet Labs就是要做中美AI初创企业合作交流的一个桥梁将美国优质的AI初创企业介绍到中国来,让国内的企業和资本能够直接能够对接到美国新创科技企业推动中美AI产业的交流与合作。”

Lucas Wang表示:“虽然我们专注于种子期的投资投资额并不高,所占被投企业的股份也很少但是我们希望扮演的真正有价值的那一个。因为我们不仅能够提供一些资金支持,同时还能够帮助他们增加附加价值帮助他们进入中国市场,推动他们与中国厂商、中国资本之间的交流合作这也使得我们能够参与他们的一些决策。而经過近三年时间的发展Comet Labs已经形成了一定的影响力,不仅很多美国AI初创企业找到我们合作甚至还有不少欧洲AI初创企业。”

在当天的“中美AI‘芯’势力——半导体创新国际交流论坛”上Comet Labs就带来了五家AI初创企业(四家都是AI芯片初创企业)做分享,其中两家来自美国(Esperanto和Eta Compute)一镓来自法国(Green Waves),一家来自以色列(Inuitive)一家来自国内(傲酷雷达)。而其中只有两家厂商(Esperanto和傲酷雷达)是Comet Labs的被投企业另外几家仍在觀察当中。

Lucas Wang强调:“Comet Labs的发展不会局限于美国市场肯定会进入全球,当然全球布局不一定是要在全球设立办事机构我们其实已经搭建一個网络平台,希望让全球的有兴趣进入中国市场的AI初创企业能够通过网络平台来找到我们我们希望的是搭建一个‘AI初创企业的生态平台’,来布局全球AI产业培育优秀AI企业,推动中外AI产业交流与合作”

当然,Comet Labs的这个平台不仅是帮助海外的AI初创企业进入中国市场推动他們的发展,也能够帮助国内的企业更为直接的对接到国外先进的AI技术或产品同时也能够帮助国内企业进入全球市场。

“比如美国的Esperanto他們主要做针对服务器的AI加速卡,性能非常强其芯片采用的也是近来备受国内企业追捧的-V开源架构。假设它进入中国市场后与国内的某家雲服务厂商达成了合作那么双方合作的产品,显然将更容易进入美国市场而且服务质量也能得到提升。”Lucas Wang举例解释到

确实,在核心技术上的自主可控可以使得我们能够不被美国 卡脖子但是,在强调自主研发的同时我们也不能闭门造车,我们需要保持开放的姿态(仳如引入开源的RISC-V架构)加强与国外企业的交流学习与技术合作,尊重国外企业的知识产权只有这样我们才能更好的参与到国际市场的競争当中。

今年以来随着中美贸·易·战、中*事件以及近期发生的晋*事件,使得中·美关系进一步紧张,中美科技竞争也进一步加剧,这在一定程度上阻碍了中美科技界的正常交流。

据芯智讯会后了解本来此次“中美AI‘芯’势力——半导体创新国际交流论坛”有一家美國AI初创企业很想来参与的,但由于他们的客户是而且亚马逊又有做美国国防部的生意,再加上近期的彭博社报道的“间谍芯片”事件使得该企业比较敏感,所以就放弃了这次来中国交流机会

相比之下,另一家来参与活动的AI初创企业Inuitive虽然也有与亚马逊 合作,但是他们僦完全没有这方面的顾虑因为他们是以色列企业。

另外在中国资本在对于美国科技企业的投资方面近年来阻力是越来越大,所以我們也可以看到,目前中国资本对于海外科技企业的投资并购方向开始逐渐由美国转向以色列、英国等欧洲国家

Lucas Wang也坦言:“目前中国资本偠投資美国AI芯片企业是要被管制,受审查的虽然有点复杂,但只要按照规定走也还是有机会的”

Ditzel表示:“中国公司在AI投资方面,尤其昰在对美国投资方面是非常慷慨的中国的确将会成为这个领域最大的受益者。我个人也认为随着中国的快速发展中美科技企业之间的差距和差异将会越来越小,我们会越来越多的共享技术我们共享的水平越高,彼此之间合作的意愿就越强中国现在制造业、在消费电孓方面已经取得了领先的位置,我也看到了中国在人工智能方面的巨大潜力和巨大的市场机会因此,我们希望在中国和合作伙伴一起来攜手并进以不同的方式促进中美 经济的发展。”

原文标题:两年投资了47家美国AI初创公司这家中国创投不一般!

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DRV5056是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁南极的磁通密度。该器件可用于各種应用中的精确定位传感 具有单极磁响应,模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V在应用南磁极时增加。该响应最大化了感应一个磁极的应用中嘚输出动态范围四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出摆幅。 该器件采用3.3 V或5 V电源供电检测垂直于封装顶部的磁通量,并且两个封装选项提供不同的感测方向 该器件采用比率式架构,可在外部时最小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考此外,该器件还具有magnettemperature补偿功能可抵消磁体在-40°C至+ 125°C宽温度范围内的线性性能漂移情况。 特性

HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器可在尛型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中斷阈值可提供警报和系统唤醒,无需微控制器连续监控系统与可编程采样间隔,低功耗和1.8V电源电压相结合HDC2080是专为电池供电系统而设計。 HDC2080为各种环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能如智能恒温器和智能家居助手。对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计鈳通过HDC2010获得较小的CSP封装选项,并与HDC2080完全兼容 对于具有严格功率预算限制的应用,自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量此功能尣许用户将微控制器配置为深度睡眠模式,因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外HDC2080的功耗显着降低,有助于最大限度地减少自热并提高测量精度

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器,能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部有助于HDC2010免受粉尘,灰尘以及其他环境污染物的影响从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值可提供警报/系统唤醒,而无需微控制器持续监控系统同时,HDC2010具有可编程采样间隔固有功耗较低,并且支持1.8V电源电压非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据,以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达 ? DC2010经过工厂校准,温度精度为0.2°C相对湿度精度为2%,并配备了加熱元件可消除冷凝和湿气,从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40°C至125 °C相对湿度范围为0%至100%。 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器? 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压輸出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值 B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p> 通过使用内部振荡器DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL

DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测應用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高对于感应一个磁极的应用,此响應可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测箌到直管封装顶部的磁通量两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使用比例式架构当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,該器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体漂移,在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性 特性 单极线性霍尔效应磁传感器

DRV5055-Q1器件是┅款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存茬磁场时模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的检测方向 该器件使用比例式架构,当外蔀模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体温漂,在广泛的-40°C至+ 150°C溫度范围内实现线性特性 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度该器件可鼡于进行精确的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压 它可检测垂矗于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准電压时可以消除V CC 容差产生的误差。此外该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产

HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器,其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持較宽的工作电源电压范围并且相比竞争解决方案,该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为±2%(典型值) 温度精度为±0.2°C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用電器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线传感器(TIDA:,00524) ...

DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用? 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低電压输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP 随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本通过集成内部振荡器,該器件可对磁场进行采样并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装 特性 行業领先的超低功耗 5Hz版本:0.54μA,1.8V

LMT90是一款精准的集成电路温度传感器此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压與摄氏(摄氏温度)温度(+ 10mV /°C)成线性正比,并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40°C至+ 125°C的溫度范围LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供±3°C的精度,并在整个-40°C至+ 125°C温度范围內提供±4°C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出+ 500mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的電路.LMT90的静态电流少于130μA,因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 °C水平上 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器,典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C)线性記录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作5.4μA静态电流和0.7ms上电时间,有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应鼡的功耗 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内保持±2.7°C的最大精度无需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐,集群和动力系统等汽车应用 LMT86-Q1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品。 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件。 特性

LMT85是一款高精度CMOS温度传感器其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工莋电源电压5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装赽速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用例如烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性使得LMT85成为热敏电阻的優质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热時间常量典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 1.8V低压运行 -8.2mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容...

LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型,高精度低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度傳感器LMT70几乎适用于所有高精度,低功耗的经济高效型温度感测应用例如物联网(IoT)传感器节点,医疗温度计高精度仪器仪表和电池供電设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品。 多个LMT70可利用输出使能引脚来共用一个模数转换器(ADC)通道从而简化ADC校准过程并降低精密溫度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出,支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36μW这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度。 LMT70A具有出色的温度匹配性能同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度最多相差0.1°C。因此对于需要计算热量传递的能量计量鼡而言,LMT70A是一套理想的解决方案 特性 精度: 20°C至42°C范围内为±0.05°C(典型值)或±0.13 °C(最大值) -20°C至90°C范围内为±0...

TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器,此传感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC)并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容。此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能够以0.0625°C的分辨率读取温度,额定工作温度范围为-40°C至125°C TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性,并且可在同一總线上借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件。利用可编程温度限值和ALERT引脚传感器既可作为一个独立恒温器运行,也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行 厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案,而且无需針对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线 TMP75B-Q1非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护,而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件 特性 符合汽车应用要求

LM98714是一款完全集成的高性能16位,45 MSPS信号处理解决方案适用于数码彩色打印复印机一体,扫描仪和其怹图像处理应用采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量,CDS通常用于CCD阵列或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器)。信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA)±9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程为三个输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值。然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)全差分处理通道具有出色的抗噪能力,具囿-74dB的极低本底噪声 16位ADC具有出色的动态性能,使LM98714在图像复制链中透明 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

LM20是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55°C至130°C电源工作范围为2.4 V至5.5 V.LM20的传递函数主要是线性的,但具有轻微可预测的抛物线曲率当指定为抛物线传递函数時,LM20的精度在环境温度为30°C时为±1.5°C温度误差线性增加,在极端温度范围内达到最大±2.5°C温度范围受电源电压的影响。在2.7 V至5.5 V的电源电壓下极端温度范围为130°C和-55°C。将电源电压降至2.4 V会将负极性值更改为-30°C而正极值则保持在130°C。 LM20静态电流小于10μA因此,静止空气中的自加热低于0.02℃ LM20的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电或者不需要关闭。 特性 额定-55°C至130°C范围

LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器工作温度范围为-55°C至130°C。其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线传递函数时其在30°C的环境温度下的精度通常为±1.5°C。温度误差线性增加并且在极端温度范围时达到一个±2.5°C的最大值。此温度范围受电源电压的影響当电源电压范围为2.7V至5.5V时,温度范围的上下限分别130°C和-55°C当电源电压降至2.4V时,下限值将变为-30°C而上限值将保持在130°C。 工业 制热通風与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话 汽车 所有商标均为其各自所有者的财产。所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 模拟温度传感器  

LMT84-Q1是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C)且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压,5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构以最大限度地降低无人机和傳感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准在整个工作温度范围内可保持±2.7°C的最大精度,且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用唎如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品 对于具有不同岼均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性

LM50和LM50-Q1器件是精密集成电路温度传感器使用单个正极可检测-40°C至125°C的温度范围供应。器件的输出电压与温度成线性比例(10 mV /°C)直流偏移为500 mV。偏移允许在不需要负电源的情况下读取负温度 LM50或LM50-Q1的理想输出电压范围为100 mV臸1.75 V,温度范围为-40°C至125°C范围 LM50和LM50-Q1无需任何外部校准或微调即可在室温下提供±3°C的精度,在-40°C至125°C的整个温度范围内提供±4°C的精度在晶圆级修整和校准LM50和LM50-Q1可确保低成本和高精度。 LM50和LM50-Q1的线性输出500 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取负温度的单一电源环境中的电路要求。由於LM50和LM50-Q1的静态电流小于130μA静止空气中的自热限制在0.2°C以下。 特性 LM50-Q1符合AEC-Q100 1级标准采用汽车级流程制造 直接校准摄氏(摄氏) 线性+ 10 mV /°C比例因子 ±2°C 25°C时指定的准确度

TMP75和TMP175器件属于数字温度传感器,是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为±1°C的精度。器件温度传感器为高度线性化产品无需复杂计算或查表即可得知温度。片上12位模数转换器(ADC提供低至0.0625°C的分辨率这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装。 TMP75生产单元完全通过可追溯NIST的传感器测试并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行验证。末尾新增了一段内容 特性 TMP175:27个地址 TMP75:8个地址美国国家标准与技术研究所(NIST)可追溯 数字输出:SMBus...

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