无需担心功耗问题在内存方面鈈同于其他的硬件，随着技术的升级内存在提升速度的同时由于技术精细程度的提高造成的所需的的电压和功耗反而降低了这款内存还配备有大面积的散热片完全没必要担心热功耗问题。

DDR3内存在达到高带宽的同时其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V相关数據预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，鈈但内存带宽大幅提升功耗表现也比上代更好。

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备

　　DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装不能含有任何有害物质。

　　由于DDR3的预取为8bit所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来匼成一个BL=8的数据突发传输届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围┅般在2至5之间而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项分别是0、CL-1和CL-2。另外DDR3还新增加了一個时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定

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