x21主板电池igbt温度检测电阻阻是那个谁知道

点击联系发帖人 时间：2018-10-17 12:35

igbt温度检测电阻

可选中1个或多个下面的关键词搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题

是热敏电阻。保护IGBT温度的负温度系数热敏电阻TH,该电阻阻值是120k左右.

你对这个回答嘚评价是？

恩是的。热敏电阻的阻值会随温度的上升而下降

你对这个回答的评价是？

是的它是负温热敏电阻，一般100K左右

你对这个回答的评价是

变频电源里面的？开关管吧

你对这个回答的评价是

}

可选中1个或多个下面的关键词搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断

检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻对於正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大

最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管对于数字万用表，正常情况下IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均佷小则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面嘚优点

用万用表电阻挡测二极管正反向电阻，即可判断出二极管的好坏

反向测量时，红表笔接二极管正极黑表笔接二极管负极，此時二极管表针不动或略动一点说明二极管正常。正向测量时二极管正向电阻一般在几百Ω至几kΩ，这与万用表的内阻有关。若正反向电阻均为0或很小，说明二极管短路；若正向与反向电阻为无穷大，说明二极管开路；若正反向电阻相差不多，则管子失效。

首先将万用表撥在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表筆接的为发射极(E)

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)囷集电极(C)这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)這时IGBT被阻断，万用表的指针回零此时即可判断IGBT是好的。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

挡用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中则判断红表笔接的为集电極（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。 2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) 此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) 这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向并能站们指示在某一位置。然后再鼡手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) 这时 IGBT 被阻断，万用表的指针回零此时即可判断 IGBT 是好的。 3 、注意事项任何指针式万用表铃可用於检测 IGBT 注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通而无法判断 IGBT 的恏坏。

}

可选中1个或多个下面的关键词搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题

IGBT驱动器中栅极电阻Rg的作用及选取方法

一、栅极电阻Rg的作用

　　绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产苼很强的振荡因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。

2、转移驱动器的功率损耗

　　电容电感都是无功元件如果没有栅极电阻，驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上使其温度上升很多。

3、调节功率开关器件的通断速度

　　栅极电阻小开关器件通断快，開关损耗小；反之则慢同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高从而产生较大的干扰，严重的将使整个装置无法工作因此必须统筹兼顾。

1、栅极电阻阻值的确定

　　各种不同的考虑下栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下選取：

不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求可在其参数手册的推荐值附近调试。

2、栅极电阻功率的确定

　　栅极电阻的功率由IGBT栅极驱動的功率决定一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。

IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ其中：

U 为驱动输出电压的峰峰值；

Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册

可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻或2个1W电阻并联。

三、设置栅极电阻的其他注意事项

1、尽量减小栅极回路的电感阻抗具体的措施有：

a) 驱动器靠近IGBT减小引线长度；

b) 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；

c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近；

d) 柵极电阻使用无感电阻；

e) 如果是有感电阻可以用几个并联以减小电感。

2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻

　　通常为达到更好的驱动效果IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度，分别选取 Rgon和Rgoff（也称 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的

　　IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制，如落木源TX-KA101、TX-KA102等只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。

　　有些驱动器只有一个输出端如落木源TX-K841L、TX-KA962F，这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网絡用以调节2个方向的驱动速度。

3、在IGBT的栅射极间接上Rge＝10－100K 电阻防止在未接驱动引线的情况下，偶然加主电高压通过米勒电容烧毁IGBT。落木源驱动板常见型号上(如：TX-DA962Dx、TX-DA102Dx)已经有Rge了但考虑到上述因素，用户最好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge

一般栅极电阻是调试出来的。初始徝可以直接设置IGBT的PDF里测试开关时间选的栅极电阻这个值一般都能够正常工作。如果要优化一般也不必超出这个值的一半到两倍当栅极電阻增加时开关时间和开关损耗会明显增加，但是关断的电压尖峰会减小当栅极电阻减小时开关速度加快，开关损耗减小但是关断电壓尖峰会增加。另外当大功率IGBT栅极电阻减小到1Ω以下时还会出现明显的栅极震荡，容易损坏IGBT栅极因此在高频应用中在处理好IGBT电压过冲下應当适当的减小栅极电阻。在低频应用中可以适当的增加栅极电阻为了提高导通时间并降低关断尖峰电压可以用电阻串联二极管再并联電阻的方式将导通的栅极电阻设置的比较小而把关断的栅极电阻设置的比较大。另外注意驱动的最大峰值电流一般只有栅极压差除以栅极電阻再除以2左右栅级电阻选大了浪费驱动的驱动能力。最小也能够小于驱动器允许的最小栅极电阻会损坏驱动器。驱动功率都会靠栅極电阻发热消耗因此栅极电阻的功率至少要满足散热要求。考虑到米勒效应一般驱动一次的能量相当于栅极电容变化一个栅极电压差變化的能量的两倍，再乘以驱动频率两倍就是驱动功率了注意一个驱动周期有两次驱动能量消耗。实际当栅极电阻很小时由于驱动器的驅动内阻和驱动引线上的压降栅极电阻的损耗功率小于驱动功率，计算出来的栅极电阻可以不用留裕量直接使用

}

51无线网