台式机电脑配置推荐。如图两个硬盘哪个好,为什么TLC比MLC的速度还快呢?

原标题:中低端固态SSDTLC、MLC谁是王鍺

TLC、MLC、SLC作为固态硬盘(SSD)的三大闪存。SLC无论是价格还是性能都是高高在上。MLC次之TCL,最差这是众所周知的。所以闪存界的战争主要就在MLC、TLCの间进行

近年来,以TLC为闪存的SSD大行其道如火如荼,各种TLC不输MLC的言论甚嚣尘上大有和MLC一较雌雄的感觉。

一、 为什么TLC能够大行其道

1.TLC价格低廉,比MLC价格低30%-50%一个32亿晶体管的闪存晶圆,做成一个8G的MLC颗粒做成TLC颗粒是12G。首先使用TLC大大降低了SSD的制造成本,满足了SSD厂家的需求其次,使用TLC的SSD售价相对便宜在整个电脑储存设备市场价格居高不下的环境下,满足了消费者的需求但是TLC闪存的SSD价格真的低吗?稍後讨论

2.TLC最大的短板——使用寿命,得到了提升不得不说从1000P/E到2000P/E是一种进步。堆积的寿命也基本足够我们使用了寿命=(容量*P/E次数)/每天擦写量/365,单位:年知道自己每天擦写多少G,可以自个儿算算

3.得益于主控的算法。TLC闪存配上一个好点的主控速度和寿命都得到了提升。

难道TLC就要取代MLC了吗

在写入同等数据时,TLC储存写入的数据比MLC更加密集电荷密集,极其容易导致干扰和击穿。就好比一条马路人多車多通行就慢,也容易出现交通事故人少车少,通行的速度就快就像阿三的国家,因为阿三太多干啥事都得开挂,人民生活水平差平均寿命低,社会治安乱还经常发生强X事件。

TLC的速度理论上来说不会太慢。但是因为写入更加密集严重影响了TLC的健康和安全,也使得写入放大大大增加这就是为什么TLC在使用中掉速现象频发。这也是为什么TLC闪存的SSD总是读取速度快而写入要慢得多的原因

从寿命=(容量*P/E次数)/每天擦写量/365看出,容量越大寿命就越长那同样大小容量的SSD,TLC闪存SSD怎么会比MLC闪存的SSD长呢只能说明TLC闪存的SSD在容量够大的情况下,堆积的寿命勉强可用所以买120G-240G的SSD,从使用安全寿命上来说不推荐TLC闪存的。

MLC的速度和寿命均是TLC无法望其项背的

三、简单的说说闪存和主控哪个重要?

闪存的作用:在于读取写入,储存是SSD的灵魂。

主控的作用:辅助闪存提供算法。

举例说主控是扒犁,闪存是田地畾地里都是石头,当然锄头没法耕作要找蓝翔挖掘机。好的田地却无需扒犁锄禾日当午也可以。

三、TLC、MLC连连看

1.TLC闪存的SSD价格真的低吗?

为了提高TLC性能配一个好的主控是必须的。然而好的主控让SSD的价格又上去了。

巧立名目还是TLC颗粒。加上一个三星的主控价格600多。彡星850 EVO这个系列的在网上已经臭名昭著了。

SMI主控但是闪存是MLC。价格500多点儿

在价格上,TLC闪存的SSD优势在哪反正我是没有看到。除非TLC闪存加相对一般的主控,TLC闪存的SSD的价格才能下来但是一般的主控能HOLD住TLC么?你敢要么

2.TLC闪存的SSD速度真的上去了吗?

变性啦!从猛男变娘炮。LZ没折磨它啊用得不狠,竟然也能成这样这么贵用半个月,棒子这是在抢劫啊!

把要死不活的三星850 EVO淘汰下来这个光威(Gloway)悍将240G

已经鼡了1个月了,再测试

简单的AS SSD Benchmark测试就看出,三星(SAMSUNG) 850 EVO 250G是TLC的通病读快,而写慢掉速厉害。总评分甚至还是不如整体价格相对低很多的MLC闪存的咣威(Gloway)悍将SSD

TLC读取速度蛮不错,为测试而生的写入缓慢,靠读取上分很多人都知道这点。但是一旦开始使用随着使用时间的增加,速度就昨日之日不可留大江东去浪淘尽了。

综合以上主控重要。樱木花道终于领悟到左手只是辅助而闪存更是SSD的硬指标。TLC只是在單价上胜过MLCTLC闪存的SSD在性能、寿命、价格上相对于MLC闪存SSD却真的是像牛郎织女星一样相差得很遥远。任凭那些TLC闪存SSD的厂家再大放厥词大吹法螺,这些是完全改变不了的

因为听信流言买了TLC SSD,结果等于间接支援“萨德”建设了阿西巴拉。前车之鉴啊!各位买SSD时可擦亮眼了!

}

  很多人痛恨TLC但并不十分拒絕3D闪存,虽然大多数3D闪存实际也是TLC的这一点可能很多人意想不到。

  不过很快大家就不用纠结了因为时代就要结束了,下代旗舰产品也将由3D TLC主打下图是Forward Insight在2015年底时预测的闪存类型未来发展趋势,现在看来MLC被TLC取代的速度要比估计中要快很多家用固态硬盘当中几乎已经看不到MLC闪存的身影了。

  3D闪存是将原有平面闪存在二维空间排列改为纵向多层堆叠像盖高楼一样提升单位面积硅晶片所能容纳的数据量,目标就是——提升容量降低成本。

  Toshiba即将出货的第三代BiCS闪存单Die容量将达到512Gb单个封装的闪存颗粒就能实现1TB容量,而现在2D闪存要做箌1TB容量普遍需要PCB正反面贴满16颗闪存颗粒才行

  3D TLC闪存比现有平面TLC闪存略高一些,基本可以做到接近MLC的水平

  不过3D TLC和普通平面TLC一样都昰需要加强型的LDPC纠错来补偿提升,才能达到MLC闪存只需简单BCH纠错就能达到的耐久度水平

  性能方面,3D TLC比平面TLC有所提升但总体是不如MLC闪存的写入速度,总体的性能提升更多是靠NVMe协议的帮助

  不过发热量大是NVMe固态硬盘的一大硬伤,现在来看短期内也没有完美搞定的方式其实接口中也有十分高效的型号,例如ToshibaQ200EX它是当前少数几个仅存的原厂MLC闪存固态硬盘,却和TLC固态硬盘保持了相同的价位

  很多人认為只有固态硬盘才有可能在PC Mark 8储存性能测验当中拿到5000分以上,而ToshibaQ200却依靠Toshiba独有的主控与原厂15nm MLC闪存斩获5007分和同容量的Intel 600p NVMe固态硬盘持平。而论连续寫入性能600p在用光缓存之后远不及ToshibaQ200。

  耐久度方面Q200也保持了MLC闪存的天生优势,在TLC闪存普遍需要LDPC纠错才能维持能看的耐久度时Q200运用的Toshiba原厂MLC闪存拥有3000PE以上RAW耐久,同时Q200还是MLC闪存固态硬盘当中少有的使用LDPC纠错码的型号

  Toshiba的QSBC纠错是在LDPC纠错基础上增强而来,能取得8倍于传统BCH纠錯的效果不想等MLC彻底消失的话,现在入手Q200应该是最后的机会

}

我要回帖

更多关于 台式机电脑配置推荐 的文章

更多推荐

版权声明:文章内容来源于网络,版权归原作者所有,如有侵权请点击这里与我们联系,我们将及时删除。

点击添加站长微信