SamsungK9F1208U0BNandflash进修笔记1、简介K9F1208U0B是Samsung临盆的64M×8Bit，备用位为16MbitNandflash。工作电压为2.7~3.6V。内部存储构造为528Byte*32page*4096block。8bit的I/O引脚作为敕令、地址、数据复用脚。Nandflash只能按page写，按block擦写；写把持只能在空或已擦除的单位内进行；block擦除时光与page读写时光比拟要长；并且出厂时可能存在坏块，应用过程中也会出现坏块。2、引脚简介I/O0~I/O7:敕令、地址输进，数据输出复用；CLE:COMMANDLATCHENABLE敕令锁存使能ALE:ADDRESSLATCHENABLE地址锁存使能nCE:CHIPENABLE芯片使能nRE:READENABLE读使能nWE:WRITEENABLE写使能nWP:WRITEPROTECT写保护R/nB:就绪/忙8bitI/O为地址数据复用引脚。nCE为低电平，nWE为低时，敕令、地址、数据全部经由过程I/O引脚写进。数据在nWE上升沿时锁存。64MB的存储空间须要26根地址线来寻址，而只有8bit的I/O口，所以须要四个周期来传送26bit的地址。Page读取和Page编程一样须要四个周期传送，但Block的擦写把持只须要三个周期。3、存储构造Device,Block,Page之间的关系:1Device=4,096Blocks=4096*32Pages=128KPages1Block=32Page1Page=528Byte=512Byte+16Byte个中1Page中包含稀有据存放器512Byte和16Byte的备用位用于ECC校验存储。所以有528columns*128Krows(Pages)。1Page中的512Byte的数据存放器又分为两个部门1st256Bytes和2nd256Bytes。用于数据存储的单位有512Bytes*32Pages*4096Blocks=64MB，用于ECC校验单位有16Bytes*32Pages*4096Blocks=2MB。4、nandflash寻址因为寻址须要26bit的地址，该26bit地址经由过程四个周期发送到nandflash，以下图所示：Read1把持：该把持是对512Bytes*32Pages*4096Blocks=64M的数据存放器进行寻址。第一个周期发送A7~A0的8bitColumn地址，8bit的寻址范围是0~255，只能对1st256Bytes部门进行寻址。00h敕令是1st256Bytes部门寻址。当发送01h敕令时，A8将会被置1，此时寻址范围变成了256~511了，所以01h敕令是对2nd256Bytes部门进行寻址。（*留心：A8在发送00h敕令后被清0，在发送01h敕令后被置1，并且在发送01h对2nd寻址终了后，A8会主动清0，指针会主动地指向1st）第二个周期的A9~A13的5bit是对Page进行寻址（因为1Block=32Pages，5bit的寻址范围是0~31，可以对1Block里面的所有Page进行寻址）。A14~A25的12bit则是对Block进行寻址，12bit的寻址范围是0~4095，对全部Device的4096个Blocks进行寻址。Read2把持：该把持是对16Bytes*32Pages*4096Blocks=2MB的备用位（ECC）进行寻址。50h敕令为Read2把持，对1Page里面的后16Byte寻址。如许，经由过程四个周期的发送便可对全部Device的所有存储单位进行寻址。5、关于坏块因为nandflash有擦写寿命限制，所以在应用中弗成避免地会出现坏块。但nandflash的前4K会由厂商包管不是坏块，不须要进行ECC校订。这同时包管了ARM从nandflash启动时把nandflash的前4K代码主动复制到ARM的内部的4KRAM中的精确性。坏块的辨认：芯片的擦除把持是把所有的位变成1。而坏块的状况标记位由page内的第261个Byte进行标记。
历史上的今天：Nand&flash&及&Flash&memory
Description
Nand Flash
32G bit Nand Flash 4Gx8 MLC
H27UBG8T2BTR-BC
bit Nand Flash 512Mx8 MLC
K9G4G08U0B-PCB0
bit Nand Flash 256Mx8 SLC
K9F2G08U0C-SCB0
bit Nand Flash 256Mx8 SLC
H27U2G8F2CTR-BC
bit Nand Flash 128Mx8 SLC Ind Temp
K9F1G08U0C-PIB0
bit Nand Flash 128Mx8 SLC
K9F1G08U0B-PCB0
bit Nand Flash 128Mx8 SLC
HY27UF081G2A-TPCB
bit Nand Flash 128Mx8 SLC
H27U1G8F2BTR-BC
bit Nand Flash
MT29F1G08ABADAWP-IT:D
512M bit Nand Flash
HY27US08121B-TPCB
Flash Memory
64Mbit Flash Memory
M25P64-VMF6TP
64Mbit Flash Memory
W25X64VSFIG
32Mbit Flash Memory
W25X32VSSIG
16Mbit Flash Memory Pb Free
W25Q16BVSSIG
128Mbit Flash Memory Pb Free
W25Q128FVS1G
64M Flash Memory
W25Q64BVSFIG
64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q64CVSSIG
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