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<input type="hidden" id="saver_code" value=''>请问TI有什么比较好的线性稳压芯片吗？稳3.3V和5V的 - 电源管理 - 德州仪器在线技术支持社区
请问TI有什么比较好的线性稳压芯片吗？稳3.3V和5V的
发表于3年前
<input type="hidden" id="hGroupID" value="25"
我用了TPS76901，原理图如下，不知原理图对不对？&/p>
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请问TI有什么比较好的线性稳压芯片吗？稳3.3V和5V的
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我用了TPS76901，原理图如下，不知原理图对不对？
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你好，针对你的应用，TI有以下建议
1.TPS76901输出电流在100MA以内，请确定应用上电流是否满足要求
2.TPS76901有固定输出版本，这样你可以节约两个分压电阻
3.根据规格书要求，输出电容需要大于4.7uf，并且ESR要求大于0.2ohm，建议你在输出电容设计上进行修改。
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400一个你也用得起啊？
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进士8390分
晕，怎么会400一个
如果解决了问题，请点击下角，&这问题已被解答&。这是对回答问题者最大的鼓励。
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进士6085分
选LDO需要输入输出电压、电流大小，散热能力，PSRR要求这些条件，3.3V和5.5V的LDO，太多了。
这个链接可以找到TI所有的LDO
/lsds/ti/power-management/linear-regulators-ldo-overview.page
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您是不是想找：电源芯片选择DC/DC还是LDO？
这个取决于你的应用场合。比如用在升压场合，当然只能用DC/DC，因为LDO是压降型，不能升压。另外看下各自的主要特点：
DC/DC:效率高，噪声大；
LDO:噪声低，静态电流小；
所以如果是用在压降比较大的情况下，选择DC/DC，因为其效率高，而LDO会因为压降大而自身损耗很大部分效率；
如果压降比较小，选择LDO，因为其噪声低，电源干净，而且外围电路简单，成本低。
LDO是low dropout
regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。
LDO线性降压芯片：原理相当于一个电阻分压来实现降压，能量损耗大，降下的电压转化成了热量，降压的压差和负载电流越大，芯片发热越明显。这类芯片的封装比较大，便于散热。
LDO线性降压芯片如：2596，L78系列等。
DC/DC降压芯片：在降压过程中能量损耗比较小，芯片发热不明显。芯片封装比较小，能实现PWM数字控制。
DC/DC降压芯片如：TPS5430/31，TPS75003，MAX1599/61,TPS61040/41
关于LDO电源
以前经常看见，说什么芯片是LDO的，以为是某一公司的名号。现在才知道，LDO是low
regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。生产LDO芯片的公司很多，常见的有ALPHA,
Linear(LT), Micrel, National semiconductor,TI等。
什么是 LDO（低压降）稳压器?
LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或
FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV
之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的
LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为
PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN
复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的
PNP设备类似。
更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用
CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
LDO VS DCDC
DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，
包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。
LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，
这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压
器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV。LDO线性稳
压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线
性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消
耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力
输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻
的乘积。由於MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电
池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用
，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。
如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，应为从上面的原理可以知道，
LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大
电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容
器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的
成本不断降低，体积越来越小。由於出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要
外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于
中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、
可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者
PWM方式选择等。
总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上
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LDO体积小，干扰较小，当输入与输出电压差较大的化，转换效率低。
DC-DC好处就是转换效率高，可以大电流，但输出干扰较大，体积也相对较大。
LDO一般是指线性的稳压器--Low Drop Out,
而DC/DC则是线性式和开关式稳压器的总称.
如果你的输出电流不是很大(如3A以内),
而且输入输出压差也不大(如3.3V转2.5V等)就可以使用LDO的稳压器(优点是输出电压的ripple很小).
否则最好用开关式的稳压器, 如果是升压, 也只能用开关式稳压器(如果ripple控制不好,容易影响系统工作).
当所设计的电路对分路电源有以下要求：
1． 高的噪音和纹波抑制；
2． 占用PCB板面积小，如手机等手持电子产品；
3． 电路电源不允许使用电感器，如手机；
4． 电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能；
5． 要求稳压器低压降，自身功耗低；
6． 要求线路成本低和方案简单；
此时，选用LDO是最恰当的选择，同时满足产品设计的各种要求
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