您的举报已经提交成功，我们将尽快处理，谢谢！
在按钮元件里 可以设置
幻灯片放映----&设置放映方式----&把我标箭头的这儿选成手动就OK了。
三亚旅游学校挺不错，
三亚卓达旅游职业学院 - (9
迎宾路巴哈马度假酒店附近
只要增加一个动画就可以了。应该比较简单的吧。
选中你要的字，再添加自定义动画，选者强调中的其他效果，选择更改字体颜色，
选择你要的颜色，然后再你看着...
大家还关注CC2530的flash的地址是怎样分配的？我想把参数保存到NV区以外的地方可以吗？ - ZigBee技术 - 德州仪器在线技术支持社区
CC2530的flash的地址是怎样分配的？我想把参数保存到NV区以外的地方可以吗？
发表于4年前
<input type="hidden" id="hGroupID" value="43"
&a href=&.cn/product/cn/CC2530& target=&extwin&>CC2530&/a>的flash的地址是怎样分配的？我想把参数保存到NV区以外的地方可以吗？&/p>&div style=&clear:&>&/div>" />
CC2530的flash的地址是怎样分配的？我想把参数保存到NV区以外的地方可以吗？
此问题尚无答案
All Replies
的flash的地址是怎样分配的？我想把参数保存到NV区以外的地方可以吗？
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
进士8350分
如果使用协议栈，只要定义一个NV条目，用OSAL层的函数就可以读写了，如果不使用协议栈，可以参考底层的hal_flash.c里面的读写函数来进行操作。
很荣幸能够帮助到您。
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
我猜LZ不是想知道怎么调用函数。而是想知道参数可以放在哪些地址空间而不会影响协议栈和程序的运行。。
我现在也碰到同样的疑惑。不知道从IAR里如何看到片上的flash哪些被使用，哪些空闲。。同时也没看懂具体的flash空间分配的定义。
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
榜眼47536分
的空间分配中
0x9 存放中断向量ISR
0xF7FFF是Application Code
其中0x3C800-0x3F7FFF是NV空间
0x3F800-3FFFF是Lock page
如果自己想数据保存在除NV以外的flash空间，就放在NV区上面，当时不要和代码重叠。
讲生成的Hex文件打开，看下代码在哪个位置结束，之后的空间就可以用了。
Sniffer Log above Everything Else
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
0xF7FFF是Application Code 是否应该是0xF7FF,多了一个&F&#39;？
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
榜眼47536分
谢谢，指正。
Sniffer Log above Everything Else
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
您好，现在正在解决这方面的问题。
1、我想把很多温度数据存到flash中没被占用的空间里（flash的NV区上面应该是0xF7FF），如果目前我的hex文件存储器占用的地址是0x0000-0xAE90,这是主存占用的空间，那么我要如何知道对应的flash哪些地方可以写呢？用这种方法写：void HalFlashWrite(uint16 addr, uint8 *buf, uint16 cnt)。
2、把一个32位的温度数据写到flash里去，下面这样写可以吗？
char TempValue[32]; & //一共32bit, 4个byte
HalFlashErase(0x40);& //擦除flash中第64个page
while( FCTL & 0x80 ); // 等待擦除完成
HalFlashWrite(0x8000, TempValue, 1);& //(0x40 * 0x0800) / 4 = 0x8000，每个page 2KB大小，0x8000是第64个page的起始地址
HalFlashRead(0x40, 0x0000, TempValue, 4);& //把写进去的读出来
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
以下是我iar编译后生成的map文件信息，其中有一段关于Bank 4空间分配的如下：
&BANKED_CODE& 4 CODE
如果按照上面的空间分配方式，我是否可以使用00028D52 --&这段空间来存储我自己的数据？
**************************************** * * * SEGMENTS IN ADDRESS ORDER * * * ***************************************
SEGMENT SPACE START ADDRESS END ADDRESS SIZE TYPE ALIGN
======= ===== ============= =========== ==== ==== =====&BANKED_CODE& 1 CODE
- 00017FFB 7FFC rel 0&BANKED_CODE& 2 CODE
- 0001FFFD 7FFE rel 0&BANKED_CODE& 3 CODE
- 00027FFF 8000 rel 0&BANKED_CODE& 4 CODE
rel 0ZIGNV_ADDRESS_SPACE CODE
- 0003F7FF 3000 rel 0RESERVED_ADDRESS_SPACE CODE
- C rel 0IEEE_ADDRESS_SPACE CODE 0003FFE8 - 0003FFEF 8 rel 0LOCK_BITS_ADDRESS_SPACE CODE 0003FFF0 - 0003FFFF 10 rel 0
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.
榜眼47536分
NV是在121-126 pages上，你可以把你的数据放在120 page上面。
Sniffer Log above Everything Else
You have posted to a forum that requires a moderator to approve posts before they are publicly available.posts - 63,&
comments - 10,&
trackbacks - 0
1. NOR FLASH 的简单介绍
NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作.
从支持的最小访问单元来看,NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然,也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式,具体的工作模式通过特定的管脚进行选择).
对8位的 NOR FLASH芯片,或是工作在8-BIT模式的芯片来说,一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据.例如一块8-BIT的NOR FLASH,假设容量为4个BYTE.那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号,A1-A0.地址0x0对应第0个 BYTE,地址0x1对应于1BYTE,地址0x2对应于第2个BYTE,而地址0x3则对应于第3 个BYTE.对16位的 NOR FLASH芯片,或是工作在16-BIT模式的芯片来说,一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据.例如,一块16-BIT的 NOR FLASH,假设其容量为4个BYTE.那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0.地址 0x0对应于芯片内部的第0个HALF-WORD,地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD
FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数量的存储单元.对有些大容量的FLASH,还分为不同的BANK,每个BANK包括一定数目的SECTOR.FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR,BANK或是整片FLASH为单位的.
在对FLASH进行写操作的时候,每个BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1.为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作.擦除操作会把FLASH的一个SECTOR,一个BANK或是整片FLASH的值全修改为0xFF.这样,写操作就可以正确完成了.
由于NOR FLASH没有本地坏区管理,所以一旦存储区块发生毁损,软件或驱动程序必须接手这个问题,否则可能会导致设备发生异常. 在解锁、抹除或写入NOR FLASH区块时,特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的第一页(Page).接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序,而这些指令是由一般性闪存接口(CommON FLASH memory Interface, CFI)所界定的. 与用于随机存取的ROM不同,NOR FLASH也可以用在存储设备上;不过与NAND FLASH相比,NOR FLASH的写入速度一般来说会慢很多.
2. NOR Flash的烧写方式
以下内容,如无特别说明,处理器指的是 ARM 处理器,FLASH 指的都是 NOR FLASH.另外,BYTE指的是8-BIT的数据单元,HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元,而WORD 则代表了32-BIT的数据单元.
2.1 处理器寻址
ARM 可以说是目前最流行的32位嵌进式处理器.在这里只提一下ARM处理器的寻址,为后面做个展垫.从处理器的角度来看,系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元.这和很多别的处理器都是一样的.
2.2 处理器和NOR FLASH的硬件连接
从前面的先容,我们知道从处理器的角度来看,每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元.而,NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元,也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元.所以在硬件设计中,连接ARM处理器和 NOR FLASH时,必须根据实际情况对地址信号做特别的处理.
假如ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH, 数据线和地址线的连接应该如图1所示. 从图中我们可以看到,处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是逐一对应连接的,处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是逐一对应连接的.
假如ARM处理器外部扩展的是16-BIT的NOR FLASH, 地址线必须要错位连接. 图2给了一个ARM处理器和16-BIT NOR& FLASH的连接示意图.如图2所示,ARM处理器的数据信号D0-D15和FLASH 的数据信号D0-D15是逐一对应的.而ARM处理器的地址信号和NOR FLASH 的地址信号是错位连接的,ARM的A0悬空,ARM 的A1 连接FLASH 的A0,ARM 的A2连接FLASH的A1,依次类推.需要错位连接的原因是:ARM处理器的每个地址对应的是一个BYTE 的数据单元,而 16-BIT 的 FLASH 的每个地址对应的是一个HALF-WORD(16-BIT)的数据单元.为了保持匹配,所以必须错位连接.这样,从ARM处理器发送出来的地址信号的最低位A0对16-BIT FLASH来说就被屏蔽掉了.
一般来说,ARM处理器内部要设置相应的寄存器,告诉处理器外部扩展的FLASH的位宽(8-BIT/16-BIT/32-BIT) .这样,处理器才知道在访问的时候如何从FLASH正确的读取数据;
有些ARM处理器内部可以设置地址的错位.对于支持软件选择地址错位的处理器,在连接16-BIT FLASH的时候,硬件上可以不需要把地址线错位.读者设计的时候,请参考MCU的数据手册,以手册为准,以免造成不必要的麻烦;
假如处理器支持内部设置地址错位,在实际访问的时候,送出的地址实际上是在MCU内部做了错位处理,其作用是等效于硬件连接上的错位的.
上面的描述可能比较抽象,下面让我们来看2个ARM处理器访问16-BIT FLASH的例子:
例子 1:ARM处理器需要从地址0x0读取一个BYTE
ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x0;
16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址是0x0,然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;
ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D7-D0上读取所需要的一个BYTE的数据.
例子 2:ARM处理器需要从地址0x1读取一个BYTE
ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x1;
16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址依然是0x0, 然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;
ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D15-D8 上读取所需要的一个BYTE 的数据.
2.3 从软件角度来看 ARM 处理器和 NOR FLASH 的连接
从软件的角度来理解ARM处理器和 FLASH的连接.对于8-BIT的FLASH的连接,很好理解,由于ARM处理器和8-BIT FLASH的每个地址对应的都是一个 BYTE 的数据单元.所以地址连接毫无疑问是逐一对应的.假如 ARM 处理器连接的是 16-BIT 的处理器,由于 ARM 处理器的每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元,而 16-BIT FLASH 的每个地址对应的是一个 HALF-WORD 的16-BIT的数据单元.所以,也毫无疑问,ARM处理器访问16-BIT处理器的时候,地址肯定是要错开一位的.在写FLASH驱动的时候,我们不需要知道地址错位是由硬件实现的,还是是通过设置ARM处理器内部的寄存器来实现的,只需要记住2点:
ARM处理器访问8-BIT FLASH的时候,地址是逐一对应的;
ARM处理器访问16-BIT FLASH的时候,地址肯定是错位的.
2.4 8-BIT FLASH 烧写驱动实例 - HY29F040
HY29F040是现代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在这个小节里,我们以这个芯片为例子,讲述如何对8-BIT NOR FLASH进行操作.
HY29F040的容量为512K-BYTE,总共包括8 个SECTOR,每个SECTOR 的容量是64K-BYTE.该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以BYTE 为基本单位的写操纵.HY29F040的命令定义如表-1所示.
下面,我们来看看如何实现基本的擦除和编程操作.在本节后面的描述中,我们使用了下面的2 个定义:
//该变量用来表示 FLASH 的起始地址
#define SysAddr8(sysbase, offset)
((volatile U8*)(sysbase)+(offset))
//用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作
宏SysAddr8定义了一个 BYTE(8-BIT)指针,其地址为(sysbase + offset).假设FLASH的起始地址为0x,假如要将0xAB写到FLASH的第一个BYTE中往,可以用下面的代码:
*SysAddr8(0x, 0x1) = 0xAB;
在本节后面的描述中,sysbase代表的是FLASH的起始地址,而SysAddr8中的offset则代表了相对于FLASH起始地址的BYTE偏移量.offset也是8-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.
a. 整片擦除操作
整片擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:
将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;
将 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;
将 0x10 写到 FLASH 地址 0x5555.
对应的代码:
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA;
//将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55;
//将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x80;
//将值 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA;
//将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55;
//将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x10;
//将值 0x10 写到 FLASH 地址 0x5555
b. SECTOR擦除操作
SECTOR的擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:
将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;
将 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;
将 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址.
对应的代码:
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA;
//将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55;
//将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x80;
//将值 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA;
//将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55;
//将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase, addr) = 0x30;
//将值 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址
c. BYTE擦除操作
写一个BYTE 的数据到FLASH中往,需要 4个周期的总线写操作:
将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555;
将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA;
将 0xA0 写到 FLASH 地址 0x5555;
将编程数据(BYTE)写到对应的编程地址上.
对应的代码:
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA;
//将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55;
//将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xA0;
//将值 0xA0 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase, addr) =
//将一个 BYTE的数据写到期看的地址
2.5 16-BIT FLASH 烧写驱动实例 - SST39VF160
SST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH. 在这个小节里, 我们以SST39VF160为例子, 讲述如何对16-BIT NOR FLASH进行操作.对8-BIT FLASH的操作很好理解,但对16-BIT FLASH的操作理解起来要晦涩很多.我尽力描述得清楚些.
SST39VF160的容量为2M-BYTE , 总共包括512个SECTOR, 每个SECTOR 的容量是4K-BYTE. 该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以 HALF-WORD 为基本单位的写操纵.SST39VF160 的命令定义如表-2 所示.在表 2 中,由于所有命令都是从FLASH的角度来定义的. 所以,&& 所有的地址都是HALF-WORD地址, 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.
在本节后面的描述中,我们使用了下面的2个定义:
//该变量用来表示 FLASH 的起始地址
#define SysAddr16(sysbase, offset)
((volatile U16*)(sysbase)+(offset))
//用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作
SysAddr16(sysbase,& offset)首先定义了一个16-BIT&HALF-WORD的指针,指针的地址为sysbase,然后根据offset做个偏移操纵. 由于HALF-WORD指针的地址是2个BYTE对齐的, 所以每个偏移操纵会使得地址加2.& 终极, SysAddr16 (sysbase, offset)相当于定义了一个HALF-WORD的指针,其终极地址为(sysbase& +& 2offset) .在使用SysAddr16的时候,将sysbase设置成 FLASH 的起始地址,offset 则可以理解为相对于 FLASH 起始地址的HALF-WORD 偏移量或是偏移地址.假设FLASH 的起始地址为 0x,SysAddr16(0x)指向 16-BIT FLASH 的第 0 个HALF-WORD, SysAddr16(0x指向16-BIT FLASH的第1个HALF-WORD.依次类推.假如要将0xABCD分别写到FLASH 的第0个和第 1个HALF-WORD 中往,可以用下面的代码:
*SysAddr16(0x, 0x0) = 0xABCD;
*SysAddr16(0x, 0x1) = 0xABCD;
接下来,我们分别从ARM处理器的角度和FLASH的角度来具体分析一下.
从 ARM 的角度来看:
　　假设 FLASH 的起始地址为 0x,由于 ARM 处理器知道 FLASH 的地址空间为 0x ~ (0x +FLASH容量 && 1),所以在对这个地址空间进行访问的时候,会设置好FLASH的片选信号,并将低位的地址输出到 地址信号上.以*SysAddr16(0xx1) = 0xABCD 为例.从ARM 处理器的角度来看,该操纵是把0xABCD写到地址0x上往.所以ARM处理器终极会在它的地址信号An-A0输出地址0x2,同时会在D15-D0 上输出0xABCD.
从 FLASH 的角度来看:
　　还是以& *SysAddr16(0xx1) = 0xABCD 为例,FLASH看到的地址是多少呢?接着分析.ARM 处理器在执行操纵的时候,会设置好相应的FLASH片选使能信号,并在ARM的地址信号An-A0上输出 0x2.由于 ARM和 16-BIT FLASH的地址信号的连接是错开一位的, 所以, FLASH终极在自己的地址An-A0上看到的信号是0x1, 相当于将ARM处理器输出的地址往右做了一个移位操纵,恰好对应的是FLASH的第1 个HALF-WORD.同时,FLASH会在自己的D15-D0上看到数据0xABCD.
通过上面的分析,我们知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是 16-BIT FLASH 在自己的地址 An-A0 上看到的值.所以,我们可以很方便的通过 SysAddr16(sysbase, offset) 对 FLASH 进行操纵,其中 sysbase 代表 FLASH 起始地址,offset 则代表了FLASH 的第几个HALF-WORD(HALF-WORD偏移量或偏移地址)
在本节后面的描述中,SysAddr16中的 SYSBASE代表的是FLASH的起始地址,而SysAddr16中的 OFFSET则代表了相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址.OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的值;
在SST39VF160的命令定义中,所有的地址都是针对FLASH的HALF-WORD地址,指的是在FLASH自己的地址信号An-A0上看到的地址.
整片擦除操作
整片擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:
将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;
将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;
将 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;
将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;
将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;
将 0x0010 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555.
对应的代码:
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA;
//将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055;
//将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0080;
//将值 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA;
//将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055;
//将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0010;
//将值 0x0010 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
SECTOR擦除操作
SECTOR的擦除操纵共需要6个周期的总线写操作:
将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;
将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;
将 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;
将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;
将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;
将 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的 HALF-WORD地址.
对应的代码:
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA;
//将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055;
//将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0080;
//将值 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA;
//将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055;
//将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase, addr && 1) = 0x0030;
//将值 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的HALF-WORD地址
上面的代码中第6个操纵周期中的ADDR 是从ARM处理器的角度来看的BYTE地址,由于在擦除的时候,用户希看指定的是从 ARM 的角度看到的地址,这样更方便和更直观.而在 SysAddr16 的宏定义中,OFFSET 表示的是相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量,或是FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.所以需要执行一个右移操作,把ADDR转换成 HALF-WORD 地址.
举例说明,SST39VF160 每个 SECTOR 的大小是 4K-BYTE.从 ARM 处器的角度和用户的角度来看,SECTOR-0 相对于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;从FLASH来看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0.从ARM处理器的角度和用户的角度来看, FLASH SECTOR-1相对于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 从FLASH来看, SECTOR-1的HALF-WORD地址应该是(0x1000 && 1) = 0x800.
假如要擦除SECTOR-0,上面代码的第6条指令应该是:
*SysAddr16(sysbase, 0x0 && 1) = 0x0030;
假如要擦除SECTOR-1,上面代码的第6条指令应该是:
*SysAddr16(sysbase, 0x1000 && 1) = 0x0030;
HALF-WORD 编程操作
写一个HALF-WORD的数据到FLASH中往,需要4个周期的总线写操作:
将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;
将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;
将 0x00A0 写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;
将编程数据(HALF-WORD)写到对应的 HALF-WORD地址.
对应的代码:
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA;
//将值 0x00AA 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055;
//将值 0x0055 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00A0;
//将值 0x00A0 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase, addr && 1) =
//将数据写到对应的 HALF-WORD 地址
上面的代码中第4个操作周期中的ADDR是从ARM处理器的角度来看的BYTE地址, 由于在执行写操作的时候,用户希看指定的是从 ARM 的角度看到的地址,这样会更方便和更直观.而在 SysAddr16 的宏定义中,OFFSET表示的是相对于FLASH起始地址的HALF-WORD偏移量. 所以需要执行一个右移操纵, 把它转换成HALF-WORD地址.
例如要将数据 0x0123 写到地址 0x0处,对应的是 FLASH 的第 0 个 HAFL-WORD,对应的 HALF-WORD 地址应该是0x0,上面代码的第4条指令应该是:
*SysAddr16(sysbase, 0x0 && 1) = 0x0123;
又如要将数据0x4567写到地址0x2处, 对应的是FLASH的第1个 HALF-WORD, 对应的HALF-WORD地址应该是0x1, 上面代码的第4条指令应该是:
*SysAddr16(sysbase, 0x2 && 1) = 0x4567;
再如要将数据0x89AB写到地址0x4处, 对应的是FLASH的第2个HALF-WORD, 对应的HALF-WORD地址应该是0x2,上面代码的第4条指令应该是:
*SysAddr16(sysbase, 0x4 && 1) = 0x89AB;
还如要将数据0xCDEF 写到地址 0x6处,对应的是 FLASH 的第 3 个 HALF-WORD,对应的 HALF-WORD 地址应该是0x3,上面代码的第4条指令应该是:
*SysAddr16(sysbase, 0x6 && 1) = 0xCDEF;
2.6 结束语
以上简单介绍了NOR FLASH原理,以及如何对NOR FLASH进行操作, 但没有包括状态查询, 保护等其他操纵. 对于更复杂的多片FLASH并联的情况也没有讨论,如有需要者,可自行分析.
本文转自：
阅读(...) 评论()}