第5章 存储器(讲义)_百度文库
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第5章 存储器(讲义)
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&&微​机​原​理​及​接​口​技​术
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你可能喜欢5.3.2 动态随机存取存储器DRAM芯片
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位置：--第三节
动态随机存取存储器DRAM芯片
　　典型DRAM芯片有64K×1b，64K×4b，1M×1b，1M×4b等产品。下面以64K×1b的Intel 2164A芯片为例，介绍其结构及工作原理。
1．2164A的引脚信号
　　2164A是16引脚双列直插式芯片，其引脚信号如图5.10所示，定义如下。
　　A7～A0（address inputs）：地址线。
　　DIN（data inputs）：数据输入线。
　　DOUT（data outputs）：数据输出线。
　　（row address strobe）：行地址选通信号，输入，低电平有效。
　　（column address strobe）：列地址选通信号，输入，低电平有效。
　　VCC：＋5V电源。
　　VSS：信号地。
2．2164A的内部结构及工作原理
　　2164A的内部结构如图5.11所示。
　　64K×1b（65
536个存储单元）的DRAM存储体由4个128×128的存储矩阵组成，每个存储矩阵由7条行地址线和7条列地址线进行选择。7条行地址经过128选1行译码器产生128条行选择线，7条列地址经过128选1列译码器产生128条列选择线，分别选择128行和128列。
　　由于2164A每个存储单元只有1位，若要构成64KB（64K×8b）的DRAM存储器，需要8片2164A。要实现64KB的DRAM寻址，需要16条地址线，而芯片本身只有A7～A0
8条地址线，因此，该芯片采用行地址线和列地址线分时工作的方式。其工作原理是利用内部地址锁存器和多路开关，先由行地址选通信号，把8位地址信号A7～A0送到行地址锁存器锁存，随后出现的列地址选通信号把后送来的8位地址信号A7～A0送到列地址锁存器锁存。锁存在行地址锁存器中的7位行地址RA6～RA0同时加到4个存储器矩阵上，在每个存储矩阵中选中一行；锁存在列地址锁存器中的7位列地址CA6～CA0选中4个存储器矩阵中的一列，选中4行4列交点的4个存储单元，再经过由RA7和CA7控制的“4选1”I/O门控电路，选中其中的一个单元进行读/写。
　　2164A数据的读出和写入是分开的，由信号控制。当为高电平时，读出数据；当信号为低电平时，写入数据。芯片进行刷新的时候，只加上行选通信号，不加列选通信号。可以把地址加到行译码器上，使指定的4行存储单元只被刷新，而不被读/写，一般2ms可全部刷新一次。实现DRAM定时刷新的方法和电路有多种，可以由CPU通过控制逻辑实现，也可以采用DMA控制器实现，还可以采用专用DRAM控制器实现，这里不再赘述。
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什么是基本存储单元?在ROM、SRAM和DRAM的基本存储单元中，分别是利用什么方法来记忆二进制0、1信息的?
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提问人：匿名网友
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