章节习题详解
存储器及其接口同步跟踪强化训练
一、单项选择题1.DBAM是（）& A.只能读出的存储器&B.只能写人的存储器& C.不关机信息静态保存的存储器& D.信息需定时刷新的读／写存储器2.存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来（）& A.存放数据&&B.存放程序& C.存放数据和程序&D.存放微程序3.下列存储器存取速度最快的是（）& A.SRAM&&&&&&&&& B.DRAM& C.EPROM && D.磁盘4.存储器在断电后，仍保留原有信息的是（）& A.RAM，ROM &&B.ROM，EPR｛）& C.SRAM,DRAM&&&&&&&&&& D.PROM，RAM5.半导体EPROM，写人的内容，可以通过＿擦除。（）& A.紫外线照射&&B.电信号& C.口令&&&&&&&&&&&&&&& D.DOS命令6.分半导体E2PROM，写人的内容，可以通过_____擦除。（）& A.紫外线照射&&B.电信号& C.口令&&&&&&&& D.DOS命令7.下列说法中正确的是（）& A.半导体RAM信息可改写，且断电后仍能保持记忆& B.半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的& C.半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM只有在电源不掉时，所存信息是不易失的& D.静态RAM不用刷新，且集成度比动态RAM高，所以计算机系统上常用它8.内存储器与中央处理器（）& A.可以直接交换信息&B.不可以直接交换信息& C.不可以交换信息&D.可以间接交换信息9.EPROM是指（）& A.随机读写存储器&B.只读存储器& C.可编程的只读存储器&D.可擦可编程的只读存储器10.当内存储器系统中内存储器芯片较少时，其片选信号可以采用（）& A.74SL138 &&B.74LS245& C.74LS244 &&D.与门11.对于EPROM而言，只有____信号同时有效时才能输出所需要的数据。（）& A.OE、CE&&&&&&&&&&&&& B.CE、WE& C OE、WE&&&&&&&&&&&&& D.OE、RD12.要构造 2K * 8bit的内存可以使用（）& A.1K*8bit进行并联&B.1K*4bit进行串联& C.2K*4bit进行并联&D.2K*4bit进行串联13.Intel2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是（）& A.每次刷新一个单元&B.每次刷新512个单元& C.每次刷新256个单元&D.一次刷新全部单元14.常用的虚拟存储系统由_____两级存储器组成，其中辅存是大容量的磁表面存储器。&（）& A.主存――辅存&B.快存――主存& C.快存――辅存&D.通用寄存器――主存15.8088的外部数据总线是_____位，一个总线周期能访问___＿个字节。（）& A.16.2 &B.16.8& C.16.1&D.8216.8086的外部数据总线为＿＿＿位，一个存储周期可以访问存储器中的__＿位信&&& 息。（）& A.16.8或16 &B.168& C.162 &D.8.817.通过紫外线照射即可擦除全部存储信息的芯片是（）& A.Intel2732&B.Intel2164A&&& C.Intel6166&&D.Intel281718.CPU不能直接访问的是（）&&& A.RAM&B.ROM&&& C.内存&D.外存19.和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能特点是（）& A.集成度低，存取周期短& B.集成度低，存取周期长& C.集成度高，存取周期短& D.集成度高，存取周期长20.某存储器容量为 32K * 16位，则（）& A.地址线为16根，数据线为32根&B.地址线为32根，数据线为16根& C 地址线为15根，数据线为16根&D.地址线为15根，数据线为32根二、多项选择题1.半导体存储器的主要技术指标有（）& A.存储容量&B.存储速度& C.可靠性&D.安全性& E.性能/价格比2.只读存储器的类型包括（）& A.SRAMB&B.ROM& C.DROM &D.EPROM& E.E2PROM3.SRAM芯片HM6116的基本特征是（）& A.高速度&B.低功耗& C.与TTL兼容&& D.管脚引出与标准的 2K * 8的芯片兼容& E.完全静态4.在选择内存条时，需要注意的是（）& A.存储器芯片的类型&B.芯片的工作速度& C.芯片的生产日期&D.引脚线的类型& E.存储器芯片的形状&E.行地址三、判断说明题1.随机存取存储器需要进行刷新操作。（）2.若某一系统地址总线为m位，数据总线为N位，则存储器容量为2m*n位。（）3.内存储器容量单位中1GB等于109字节。（）4.微处理器要对存储单元进行读写时，首先要进行片选，然后在被选中的芯片中进行字& 选。（）5.8O86系统访问存储器时，访问一个字要用2个总线周期。（）四、简答题1.试说明静态RAM6116芯片的特性及其同CPU的连接。2.试说明DRAM芯片2164的特性及其与CPU的连接。3.什么是内存条？用内存条有什么优点？4.试说明6116芯片各引脚的功能。5.试说明2164芯片各引脚的功能。6.试说明2732芯片各引脚的功能。7.半导体存储器的特点是什么？8.用存储器件组成内存时，为什么总是采用矩阵形式？试用具体例子说明。9.什么是“对准的”字和“未对准的”字？10.什么是静态RAM？它的特点是什么？11.在对静态存储器进行读／写时，地址信号要分哪几个部分？分别产生什么信号？12.试述动态RAM的工作特点，与静态RAM相比，有什么优点和缺点？13.试述动态BAM刷新过程和正常读／写过程的区别。五、简单分析、设计题1.有一存储系统如图3－1所示，请回答RAM和EPROM的容量各是多少？它们的地址范& 围又是多少？&
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3―12.写出下列容量的RAM芯片片内的地址线和数据线的条数。&& （1）4K * 8位；（2）512K*4位；（3） 1M*1位；（4）2K*8位。3.有一2732EPROM芯片的译码电路如图3－2所示，请计算该芯片的地址范围及存储容& 量。
&&&&&&&&&&&&&&& 图3-24.用下列芯片构成存储系统，各需要多少个RAM芯片？需要多少位地址作为片外地址译& 码？设系统为20位地址线，采用全译码方式。&&& （1）512 * 4位 RAM构成 16KB的存储系统；&&& （2）1024 * 1位 RAM构成 128KB的存储系统；&&& （3）2K * 4位 RAM构成 64KB的存储系统；&&& （4）64K * 1位 RAM构成 256KB的存储系统；5.设有一个具有14位地址和8位字长的存储器，问该存储器容量有多大？如果存储器由& 1K*1静态存储器组成，需多少芯片？多少位地址作芯片选择？6.现有 4K * 8位的 RAM和 ROM存储器芯片各一片，其地址线连接方法如图 3－3，试问在& 正常工作情况下，ROM和RAM芯片各自所占用的地址空间。
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3－3 RAM和ROM存器7.一台8位微机的地址总线为16条，其RAM存储器容量为32KB，首地址为4000H，且地& 址是连续的，问可用的最高地址是多少？8.8086CPU执行MOV[2003H]，AX指令从取指到执行指令最少需要多少时间？设时钟频& 率为5MHz，该指令的机器码为4个字节，放在从1000H：2000H开始的代码段中。六、综合分析、设计题1.试用bit）EPROM与bit）RAM构成计算机的存储器。2.用64*1位的SRAM芯片构成一个总容量为1024*16位的存储器，画出逻辑图并指出所& 需的所有输人和输出信号。3 图3－4为一存储器同8086的连接图，试计算该存储器的地址范围，并说明该电路的特& 点。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3－4 存储器连接4.使用和 74SL138构成一个存储容量为 12KB ROM（00000H－02FFFFH）、8KB& RAM（03000H－04FFFH）的存储系统。系统地址总线为20位，数据总线为8位。5.用 4K * 4的 EPROM存储器芯片组成一个 16K * 8的只读存储器，问：&&& （1）该只读存储器的数据线和地址的位数是多少？&&& （2）根据题意需多少个 4K * 4的& EPROM芯片？&&& （3）画出此存储器的组成框图。【参考答案】一、单项选择题1.D 2.C 3.A 4.B 5.A 6.B 7.C 8.A 9.D 10.D 11.A 12.C 13.B 14.A15.B 16.A 17.A 18.D 19.A 20.C二、多项选择题1.ABCE 2.BDE 3.ABCDE 4.ABD& 5.BCE 6.BCD三、判断说明题1错 SRAM不需刷新操作。2对 有2的M次方个存储地址，存储字为N位字长。3错 1GB=1024的3次方B＝2的30次方B。4对 片选即选择存储器芯片，字选即选择要读写的存储单元。5错 假如要访问的字是‘“对准的”，则只需 1个周期。四、简答题1.答：6116芯片的存储容量为2K*8位，片内有16384（16K） 个存储单元，排列成128*128的矩阵。该芯片有11条地址线A0－A10，8条数据线I/O1～I/O8，3条控制线――片选信号CE，写允许信号WE和输出允许信号OE。&&& 在同CPU连接时，CPU的低11位地址线同6116的A0～A10相连，数据线D0～D76116的I/O1～I／O8相连，高位地址线通过地址译码器输出同6116的CE相连，CPU的读信号而同 6116的OE相连，写信号WR同6116的WE相连，而CPU的M/IO信号一般参予地址译码。6116同CPU的完整连接如图3-5所示。
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3－5 6116同CPU的连接2.答：2164芯片的存储容量为 64K * 1位，片内有64K个存储单元，需要16条地址线，为减少封装引脚，地址线分为行地址和列地址，芯片的地址引脚只有8条。当其同CPU连接时，CPU的16条地址线（A0-A15）经过多路开关，分成低8位地址――行地址和高8位地址――列地址，分两次送入2164的8位地址线，8位行地址在RAS（行地址选通）信号作用下送入 2164内部的列地址锁存器。8位列地址在CAS（列地址选通）信号作用下送入2164内部的行地址锁定器，16位地址信号选中64K存储单元中的一个单元，通过数据线Dout（或Din）输出（或输入）数据。3.答：内存条是一个条形的小印刷板，上面有存储器芯片，小印刷板的一边有引脚，便于插入主板的插座上。&&& 使用内存条，便于用户进行更换内存条，也便于增加或扩充内存容量。4.答；6116是一种2048*8位的静态RAM芯片，有11条地址线，用来接受CPU送来的地址信号，以选中CPU要访问的存储单元。6116有8条数据线，用于存储单元数据的读出与写入。控制信号线有3条――片选信号而用来选中所要访问的存储器芯片，而引脚通常同地址译码器的输出相连，而该地址译码器的输入即CPU要读写的内存单元的高位地址线。例如，CPU的地址线为20位，而内存芯片的地址线为11位，则地址译码器的输入可以是高9位地址线（A19－A11）；写允许信号WE和输出允许信号OE，这两个信号是对存储芯片写和读的控制信号，通常同CPU的WR和RD引脚相连。5.答：2164是一种 64K * 1位的动态RAM芯片，有8位地址线，可接受16位地址信号，因此必须采用地址多路器，使16位地址信号分成8位行地址和8位列地址分时送入2164的地址线。数据线有2条，即Din（输入数据）和Dout（输出数据），用来写入或读写一位数据信息。还有三条控制信号线:RAS---行地址选通信号，用来锁定8位行地址；CAS--列地址选通信号，用来锁定8位列地址；WRITE--读写控制信号，用来控制对2164芯片的读与写。6.答：2732是一种 4K * 8位的可擦除可编程序只读存储器芯片，有12条地址线，可接受来自CPU的12位地址信号，以选中CPU要访问的存储单元。2732有8条数据线，用于存储单元数据在读出与写入（在编程工作时）。有二条控制信号线：芯片允许线而用来选择该芯片，使其工作；输出允许线而用来把输出数据送上数据线。只有当这两条控制线同时有效时，才能从输出端得到读出的数据，此为读出时的条件。在编程工作时，要求OE线连接编程电源Vpp＝21V，CE接一个50ms低电平有效的TTL编程脉冲，每加一个这样的负脉冲，控制的一个地址写入一个8位的数据。7.答：（1）速度快，存取时间可为ns（纳秒）级；&&& （2）集成化，译码电路、缓冲寄存器和存储单元都制作在同一芯片中，体积小；&&& （3）非破坏性读出，既缩短了读周期，又简化了控制操作。8.答：采用矩阵形式存储信息主要是为了节省地址译电路，提高半导体器件的集成度。例如要组成1KB的内存，若不采用矩阵形式，就需要1024条译码线才能实现对1KB的寻址，但若采用32 * 32的矩阵来排列，则只要有32条行选线和32条列选线就可以了。存储容量越大，矩阵形式的优点就越明显。9.答：8086CPU能同时访问寄存储体和偶存储体中的一个字节，以组成一个存储字，要访问的16位字的低8住字节存放在偶存储体中，称为“对准的”字，这是一种规则的存放字。当要访问的16住字的低8位字节存放在奇存储体中，称该字为"未对准的"字，这是一种非规则的存放宇。10.答：静态RAM是用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”的存储器。它的特点是非破坏性读出，信息一经写入，可多次读出；断电后信息不会消失，不需要刷新电路；容量较小，存取速度快；功耗大（总有晶体处于导通状态）。11.答：当对静态存储器读/写时，地址信号被分为片内地址和片选地址两个部分，分别用于片内存储单元的选择和芯片的选择。12.答：动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息。与静态RAM相比，动态RAM电路结构简单，存取速度快，集成度高，存储容量大。但使用时必须配以复杂的刷新控制电路不断地刷新存储器，补充电荷，连线较静态RAM复杂，常用在要求速度快、存储容量大的场合。13.答：由于动态RAM维持信息的时间仅有2ms，因此必须在2ms内对动态RAM进行刷新。由于刷新是任一动态RAM存储器都需要的，因此刷新是按行进行的，对所有存储单元都要刷新。而正常的存储器读/写是根据程序运行的要求，只对某一部分单元进行读/写操作。五、简单分析、设计题1.解：EPROM的地址范围为F9000H－FDFFFH，存储容量为4KB；&&& RAM的地址范围为F9000H～F97FFH或F9800H～F9FFFH，存储容量为2KB。由于A11未参加译码，因而有地址重叠，一个内存单元有2个地址对应。2.解：（1）4K=22*210＝212，需要地址线12条，数据线8条；&&& （2）512K=29*210＝219，需要地址线19条，数据线4条；&&& （3）1M＝220，需要地址线 20条，数据线 1条；&&& （4）2K＝211，需要地址线11条，数据线8条。3.解：地址范围为FF000H－FFFFFH存储容量为4KB。4 解：（1）512*4位RAM构成16KB的存储系统；&&& 需要16KB/512*4=64片；片外地址译码需11位地址线。&&& （2）1024 * 1位 RAM构成 128KB的存储系统；&&& 需要128KB/1K*8＝1024片；片外地址译码需10位地址线；&&& （3）2K * 4位 RAM构成 64KB的存储系统；&&& 需要 64KB/2K * 2＝64片；片外地址译码需 9位地址线；&&& （4）64K * 1位 RAM构成 256KB的存储系统 ；&&& 需要 256KB/64K * 8位= 32片；片外地址码需 4位地址线。5.解：该存储器的存储范围为214=16384=16K，能存储16K个字节的信息；&&& 所需芯片总数为(16K*8)/(1K*1)=16*8=128已&&& 芯片选择线为14－10=4。6.解：ROM芯片所占地址为：8000H～BFFFH&&& RAM芯片所占地址为：4000H～7FFFH7.解：若32KB的存储地址起始单元为0000H，则可知32KB存储空间共占用 15条地址线，其地址范围为 0000H－7FFFH。此时首地址为 4000H，则最高地址应为 4000H＋7FFFH＝BFFFH。8.解：（1）该条指令的机器码为4个字节存放在1000H：2000H开始的4个单元中，则取指令需2个总线周期，第一次取出1000H：2000H与1000H：2001H 2个单元中16位代码；第二次取出1000H：2002H与1000H：2003H2个单元中的16位代码；接着为执行指令，将AX中16位数传送到DS：2001H与DX:2002H两个存储单元中，因是奇地址字、需2个总线周期才能完成。这样，从取指到执行共需4个总线周期。&&& （2）在无等待周期的情况下，从取指到执行共需：&&& 4*4x*(1/5M)=3.2us（一个总线周期在无等待周期的情况下由4个时钟周期T组成）。六、综合分析、设计题1.解：两芯片的地址线均为11条，分别接地址总线A10～A0，用A11译码选通芯片，A11＝0时 2716工作，电路如图 3－6。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3―62.解：每个 64 * 16位的存储单元需要 64 * 1位存储器芯片16片，1024 * 16位存储系统共有 16个 64 * 16位的存储单元，共需 64 * 1位存储芯片 256片，电路如图 3－7。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& &&&图3-73.解：（1）电路分析：译码器的控制端 G接 M/IO。当& CPU执行存储器操作时，M/IO＝“H”满足G有效的条件。G2A同“与门1”的输出端相连，“与门1”的输入为RD和WR，当RD为有效低电平或WR在为有效低电平时，已为有效低电平，也就是无论是“读”或“写”都能使G2A有效。C2B同与非门2的输出瑞相连，“与非门2”的输入端为A17，A18，只有当A18，A17都为高电平时，G2B为有效低电平，也就是A18，A17为11，G2B才有效。存储器芯片的片选信号CS同“与门 3”的输出端相连，“与门 3”的输入端同Y2、Y3相连，Y3为低电平或Y3为低电平时，CS为有效电平，存储器芯片被选中。Y2为低电平时A18～A14为11010,Y3为低电平时，A18～A14为 11011，因此该存储器的地址范围为111即68000H～6FFFFH。地址范围为32K，但该存储芯片只有14条地址线从A0～A13，只有16KB的容量，因此一个存储单元有2个地址对应，这是由于Y2同Y3都可选中位存储芯片，A14为“0”或为“1”广都能选中同一单元，只要A18～A15＝1101即可，相当于 A14未参加译码，因此存在地址重叠。另一方面上述连接中CPU的A19来参加译码，A19为0为1都可。而上面求出的地址范围68000H～6FFFFH是A19为0的情况，显然A19为1也行，则地址范围为E8000H－EFFFFH，因此本题存储器译码中A19和A14未参加译码，地址重叠，实质上一个存储单元有4个地址对应。&&& （2）由此可知该存储器的地范围为：&&& 68000H－6BFFFH，6C000H－6FFFFH或E8000H－EBFFFH，EC000H－EFFFFH。4.解：译码地址线安排：&&& 12KB ROM需采用3片2732，8KB RAM需采用4片的容量为4K*8位，有12条地址线，片外译码的地址线为8条；6116的容量为2K*8位，有11条地址线，片外译码的地址线为9条。采用74LS138译码，每个输出端对应4KB地址范围，对6116，A11还需进行二次译码。&&& （2）列出地址范围：
&&& EPROM1～EPROM3的CE分别接74LS138的Y0～Y2，SRAMI的CE同Y3，A11经或门后的输出相连，SRAM2的CE同Y3，A11经或门后的输出相连，SRAM3的CE同Y4，A11经或门后的输出相连，SRAM4的CE同Y3，A11经或门后的输出相连如图3－8所示。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3―8 存储器接口5.解：（1）16K * 8ROM，应有P＝log216K=14根地址输入端，8根数据输出端；&&& （2）由于 EPROM芯片的容量为 4K * 4，故4K * 8芯片组需 2片，4个芯片组可组成16K * 8的存储器，即所需总芯片数为8片。&&& （3）存储器组成框图如图3－9所示。
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 图3-9静态RAM--6116 引脚功能及管脚定义图
静态RAM--6116 引脚功能及管脚定义图
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静态RAM--6116引脚功能及管脚定义图位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间200ns,24线双列直插式封装.各引脚含义如下:A0-A10为地址线;CE是片选线;OE是读允许线;WE是写允许线.6116的操作方式如下:CEOEWE方式D0-D7H**未选中高阻LLH读DoutLHL写DinLLL写Din
静态RAM--6116 引脚功能及管脚定义图位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间200ns,24线双列直插式封装.各引脚含义如下:A0-A10为地址线;CE是片选线;OE是读允许线;WE是写允许线.6116的操作方式如下:CEOE WE 方式 D0-D7 H * * 未选中 高阻 L L H 读 Dout L H L 写 Din L L L 写 Din
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&&& 目前，处理器性能的主要衡量指标是时钟第6章存储器_图文_百度文库
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第6章存储器
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存储器与CPU的连接
　 1.容量为16K×8位的RAM芯片应有地址线________条,数据线________条。
　 2.若用4K×4位RAM芯片组成32KB存储器,需要________片,其中位扩充每组需要________片,地址扩充共需________组。
　 3.地址总线为32位的微机系统的内存容量最大为______。
　 　A.2000KB 　　B.2048KB 　　C.2048MB 　　D.4096MB
　 4.静态RAM芯片6116的3个控制信号CE、OE、WE分别为______时,6116的工作方式为读出。
　 　A.101 　　　 B.110 　　　 C.001 　　　 D.010
　 5.存储器芯片与CPU连接采用各种译码方式都使存储器任一单元有唯一的确定地址。[ ]
　 6.若用4K×1位的RAM芯片组成8K×8位存储器,需要多少芯片？8088地址总线A19～A0中，哪些参与片内寻址？哪些用做芯片组的片选信号？
　 7.设有一个具有16位地址和8位数据的存储器,问:
　　(1)该存储器能存储多少字节的信息?
　　(2)如果存储器由8K×4位RAM芯片组成,需要多少片?
　　(3)需要地址多少位作芯片选择?
　 8.在8088系统上用4K×4位静态RAM芯片扩充8KB存储器,地址从A0000H开始,试画出芯片与系统总线连接电路图。人力资源微机道理及应用第5章——存储器,微机原理存储器设计,微机原理习题第二章,..
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人力资源微机道理及应用第5章——存储器
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