MOS管工作原理及其驱动电路_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
MOS管工作原理及其驱动电路
M​O​S​管​工​作​原​理​及​其​驱​动​电​路
阅读已结束，如果下载本文需要使用
想免费下载本文？
你可能喜欢查看: 8860|回复: 130
在线时间3876 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 539, 距离下一级还需 461 积分
职业侠客, 积分 539, 距离下一级还需 461 积分
经验539 点
金钱532 ￥
修了不少焊机有mos,icbt，他们的驱动方式不一样，
在线时间6617 小时
阅读权限100
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
经验14086 点
金钱14015 ￥
最新进展，不用IGBT管，用耐压远小于IGBT的场管电路无任何问题。IGBT 是60A 1000V，场管62A 250V。
Watt 发表于
IGBTS速度高于场管，且输入电容小于IGBT的场管，所以设计不好更容易坏。
在线时间1273 小时
阅读权限70
侠之大者, 积分 1471, 距离下一级还需 529 积分
侠之大者, 积分 1471, 距离下一级还需 529 积分
经验1471 点
金钱1266 ￥
用IGBT应该会便宜一点，你这个应用用600V的IGBT足以，只是你没处理好，老是烧管而已。
在线时间244 小时
阅读权限50
业余侠客, 积分 208, 距离下一级还需 292 积分
业余侠客, 积分 208, 距离下一级还需 292 积分
经验208 点
金钱168 ￥
& & 你好，你焊机修得多，请问MTH8N90和SSH15N100是不是都是IGBT管，谢谢
在线时间1062 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 532, 距离下一级还需 468 积分
职业侠客, 积分 532, 距离下一级还需 468 积分
经验532 点
金钱480 ￥
用MOS管就没事说明此MOS管在7V已偏向饱和导通.
一般IGBT的导通电压比MOS高1V左右,处理好驱动在这个位置用IGBT是完全没问题的.
在线时间1257 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
经验596 点
金钱425 ￥
这个电路烧掉是理所当然的。。IGBT在欠驱动下工作，热量快速积累一下就烧了。我发个电路过去你试试。
在线时间1257 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
经验596 点
金钱425 ￥
5e1f30909bf05f.jpg (92.64 KB, 下载次数: 7)
11:31 上传
在线时间1257 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
经验596 点
金钱425 ￥
最近做了点小东西，用大功率的Mos管作开关，频率10KHz,控制电压+-12V，一切正常，正好手里有IGBT管子（仙童 ...
Watt 发表于
按改掉的图做准不会烧的。 这个没必要用正负12V电压驱动，IGBT开启电压很高，你12V驱动MOS再驱动IGBT，送到IGBT有电压只有8V左右。正好在开启电压附近，导致IGBT管耗很大。单电源驱动就好，最好把驱动电压改为15V。没有人会去用负压的。这样不仅没作用，而且加长了开启时间。
在线时间6617 小时
阅读权限100
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
经验14086 点
金钱14015 ￥
场效应管驱动是最大的错误，用高速三极管就可以了，且只能用单电源，51欧并一个用于吸收能量的二极管就更好。如果采用12V以上的电源并采用反向激励就有更强的驱动能力
在线时间1197 小时
阅读权限50
业余侠客, 积分 248, 距离下一级还需 252 积分
业余侠客, 积分 248, 距离下一级还需 252 积分
经验248 点
金钱243 ￥
看来是我的问题，等有时间了再改为单电源，用+-12V只是为了方便。我也感觉12有点低了。可能用15V更好。
在线时间1197 小时
阅读权限50
业余侠客, 积分 248, 距离下一级还需 252 积分
业余侠客, 积分 248, 距离下一级还需 252 积分
经验248 点
金钱243 ￥
用-12V是因为有人说IGBT用负压才能快速关断。
在线时间1273 小时
阅读权限70
侠之大者, 积分 1471, 距离下一级还需 529 积分
侠之大者, 积分 1471, 距离下一级还需 529 积分
经验1471 点
金钱1266 ￥
本帖最后由 zhonggx 于
22:30 编辑
你这个烧管主要不是欠驱动引起的，我让你GE间加双向18V TVS管加了吗？另你这个电路结构，负压确实不是必需的。RG 确实也可以大一点，在充许情况下，你可以试一试87楼建议的51欧，降低DV/DT可以改善这个情况。
欠驱动有个很明显的特点就是管子发热！！不要听别人乱说。
在线时间6617 小时
阅读权限100
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
经验14086 点
金钱14015 ￥
看来是我的问题，等有时间了再改为单电源，用+-12V只是为了方便。我也感觉12有点低了。可能用15V更好。
Watt 发表于
驱动管可以串51欧，但放电管就可以直接接到大管上，这样既可以超速关闭。
在线时间37 小时
阅读权限40
注册会员, 积分 42, 距离下一级还需 8 积分
注册会员, 积分 42, 距离下一级还需 8 积分
运放驱动能力完全不够的。
IGBT一般需要至少1A的驱动电路。
在线时间37 小时
阅读权限40
注册会员, 积分 42, 距离下一级还需 8 积分
注册会员, 积分 42, 距离下一级还需 8 积分
IGBT加反压是为了防止误触发。
楼主要搞清楚几点。
第一 ，你要告诉我们 你的负载是什么类型的，阻性，容性，还是感性？
第二，示波器测量必不可少。探头要直接点在管子的GE上。
第三，这种电路，有廉价的专用芯片可以驱动，
在线时间6617 小时
阅读权限100
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
青铜剑侠, 积分 14086, 距离下一级还需 10914 积分
经验14086 点
金钱14015 ￥
运放驱动能力完全不够的。
IGBT一般需要至少1A的驱动电路。
xtal 发表于
实际驱动电流都比较小，因为高速驱动时，放大倍数是极低的
在线时间1543 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 846, 距离下一级还需 154 积分
职业侠客, 积分 846, 距离下一级还需 154 积分
经验846 点
金钱831 ￥
本帖最后由 GHJIANG 于
15:12 编辑
做电路实验：一要有必要设备；而要具备相关的基础知识。要想走捷径，也可借鉴一些成熟的电路。本例的烧管原因：主要是欠激励，这里的欠激励有两个含义。一是电平幅度，二是波形！做脉冲电路的实验，没有示波器，犹如“瞎子摸象”。
在线时间1257 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
经验596 点
金钱425 ￥
用-12V是因为有人说IGBT用负压才能快速关断。
Watt 发表于
三极管才要拉负电流关断，IGBT和MOS应用一样。只不过电压低了最好不用IGBT，MOS比IGBT好
在线时间1257 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
经验596 点
金钱425 ￥
你这个烧管主要不是欠驱动引起的，我让你GE间加双向18V TVS管加了吗？另你这个电路结构，负压确实不是必需的 ...
zhonggx 发表于
你这个真有意思，不搞清楚也在这里正儿八径的忽悠人。Rg用大了管耗更大。Rg的选用是有条件的。。。管子不发热他能烧掉吗？ IGBT的开启电压一般都很高，这是1200V25AIGBT的Qg测试波形，自己看吧，以后话不要说得太满，小是错的话碰到对的人。我是专做MOS管测试设备的。对MOS及IGBT的特性还算是了解的。
7413_device2_3.gif (185.73 KB, 下载次数: 7)
17:00 上传
在线时间1257 小时
阅读权限50
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
职业侠客, 积分 596, 距离下一级还需 404 积分
经验596 点
金钱425 ￥
IGBT本身对雪崩击穿很弱，如果不加Body Diode应用在感性负载下很容易雪崩打死，所以会集成一颗BodyDiode在上面。
Powered by请教一下大神，光耦驱动场效应管的问题。_单片机吧_百度贴吧
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&签到排名：今日本吧第个签到，本吧因你更精彩，明天继续来努力！
本吧签到人数：0成为超级会员，使用一键签到本月漏签0次！成为超级会员，赠送8张补签卡连续签到：天&&累计签到：天超级会员单次开通12个月以上，赠送连续签到卡3张
关注：79,467贴子：
请教一下大神，光耦驱动场效应管的问题。收藏
先把电路贴上来想在TTL电平时，光耦导通，场效应管G极得到12V电压，TTL高电平时，光耦关断，场效应管G极电压低于2V。遇到的问题是关于R2和R3的阻值设定，调整了好久也没有调出来，要么是G极没有12V，要么就是光耦关断了G极电压比较高。请大神指点一下啊，或者用什么其他电路可以替代这个电路，谢谢！
r3用47k,r2用1k　　　--做了多年的维修电工，现在越来越胆小了
R3可以稍微大一点 10kR2挂在栅极上就20Ω左右足够。当TTL为0 光耦导通 12V电源经光耦的发射级向栅极充电 导通MOS管当TTL为1 光耦关断 栅极通过R2 R3对地放电 关断MOS管
下接电阻，应接到R3应接到R2后端，
tlp351a楼主应该多看看，有专门驱动mos/igbt的光耦，推挽输出的
登录百度帐号推荐应用
为兴趣而生，贴吧更懂你。或主题: &关于MOS变压器隔离宽占空比驱动
前段时间古大侠贴了个变压器隔离的驱动仿真，我这里上些实验波形一起探讨下
[本帖最后由 真武阁 于
23:00 编辑
1楼|&工程师 (503) |
这个主题开的好期待中！
2楼|&总工程师 (12566) |
waiting for ..
3楼|&工程师 (1839) |
这是一个典型的驱动电路，但它无法适用于占空比大幅度变化的场合，即使是按固定占空来设计，当PWM输出为负且超过钳位电压（一般负压设置在-5V）的时候，稳压二极管和缓冲电阻就承受了整个toff的能量消耗，不要小看这部分损耗，他可能比有用功大多了
看看占空比变化时的波形情况
[本帖最后由 真武阁 于
21:07 编辑
4楼|&高级工程师 (2032) |
真武阁制作室？？
7楼|&工程师 (1839) |
有什么办法可以使这种简单的驱动适应占空比大幅度变化，而输出幅值稳定呢？
把这几幅图连起来看看，可以看出不管占空比如何变化，输出摆幅Vpp是相对稳定的，即等于Vcc乘以匝比N
可见，只要把Vs锁定到下边的那条黄线就可以使输出幅值不受占空比影响，but,how to do?
[本帖最后由 真武阁 于
18:19 编辑
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6030) |
晶体管电视机的视放部份, 有一个电路叫直流钳位的, 可以解决这个问题
<font color=#FD楼|&本网技师 (228) |
不错，很详细，贴一些仿真的图更好。
32楼|&高级工程师 (3223) |
负压是指G极到S极的电压吗？
麻烦先讲一下这个负压是怎么产生的好吗？
33楼|&工程师 (1839) |
（第1个图）原边是一个图腾柱（或称推挽）驱动器，隔直电容（或称耦合电容）把Vcc 分成一个正电源和一个负电源（以隔直电容和变压器交点处为0参考），这种单电源的推挽使驱动变压器副边得到一个正和负（G-S）的驱动信号，根据秒伏积平衡，Vton*ton=-Vtoff*toff,举个例说，Vcc=10v,变压器匝比1:1，在占空比为50%，时，副边输出为+5V和-5V，占空比10%时输出+1V和-9V，占空比20%时输出+2V和-8V....依此类推（看2-4图）
[本帖最后由 真武阁 于
20:52 编辑
46楼|&高级工程师 (3223) |
明白了，谢谢耐心讲解！
又想了下，我觉得应该是占空比10%时+9V和-1V，占空比20%时+8V和-2V，才对
不知对否？
[本帖最后由 gaohq 于
19:09 编辑
52楼|&工程师 (1839) |
是这样，我上面说反了
91楼|&本网新手 (98) |
大哥这么不继续了啊？？？
<font color=#FD楼|&本网技工 (106) |
能及时醒悟还是好孩纸，MOS交流群QQ：，可以加一下
<font color=#FD楼|&助理工程师 (398) |
绿色是3525的输出波形，黄色的是三极管Q3和Q4的BE波形，为什么Q3和Q4的BE是这样的波形呢优其是红色圈起的地方，是什么原因导致的。高工
<font color=#FD楼|&工程师 (1839) |
看样子好像是谐振了，调整c2c3看看
<font color=#FD楼|&本网技工 (122) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (122) |
有一事不明，比如Vcc=10v，占空比为10%，那么输出+1v和-9v,那么+1v如何驱动MOS或IGBT呢？？ &&
<font color=#FD楼|&本网技工 (121) |
广告已删除
[本帖最后由 admin 于
17:37 编辑
<font color=#FD楼|&本网技师 (206) |
您好！我问一下，我的控制频率在5-10KHz，那这个变压器怎么设计呢？有没有现成的买？变压器的电感量要多少？谢谢了
<font color=#FD楼|&本网技工 (117) |
5楼|&本网技工 (156) |
25楼|&本网技工 (147) |
6楼|&本网技师 (270) |
这种驱动有局限性的。太完美了，别人昂贵的驱动IC怎么会有市场！
8楼|&工程师 (1839) |
今晚我再说说如何打破这个局限性，而不必再苦苦追求那些“昂贵的驱动IC”
先贴张92%占空的看看，负载是10n电容,缓冲电阻5Ω，变压器匝比1:1，原边4427供电Vcc=14.5v;，示波器5v/格。由于信号发生器的最高频率只有50k，将就着看咯
[本帖最后由 真武阁 于
18:39 编辑
9楼|&助理工程师 (342) |
可以用专用MOS管驱动IC，如IR2125等
10楼|&专家 (45353) |
等你的好消息咯，看看跟原来的方法有什么根本上的区别。
11楼|&工程师 (1839) |
对这个内容感兴趣的似乎不多。。。。。。噢忘了，今天是周末
13楼|&副总工程师 (5137) |
感兴趣的大有人在啊
14楼|&工程师 (1839) |
既然有性趣，那就继续.....
先来个题外话:开始做PFC的时候，一直对这个C6的用途懵懵然
获得的赠予：操作者：a1231&&&操作：+20P&&时间： 22:54理由：世纪电源网，因你而精彩！
16楼|&专家 (45353) |
电感副边左负右正的时候，副边绕组通过D2给C6充电，C6左正右负，当绕组反相时，绕组电压及电容电压一起通过D3整流，保证不同占空比情况下，D3整流输出电压基本不变。大家好像说这个是电源泵，也类似倍压整流。
17楼|&工程师 (1839) |
差不多就是这个意思，就是使输出不受占空比影响，所以得到了下面这个电路：也就是把VS锁定到下边的那条黄线
[本帖最后由 真武阁 于
17:47 编辑
18楼|&工程师 (1839) |
这个电路至少解决了3个问题：
1：不管占空比如何变化，输出幅值基本不变；
2：“净电压”得到充分利用，不需要的负压在这里是被电容垫高了，而不是被消灭掉，所以没有额外的损耗；
3：变压器只需1:1的匝比，就可以使输出端得到和Vcc一样的电压幅值。
但这简单的增加一个二极管和电容的电路仍不够很实用。
[本帖最后由 真武阁 于
22:32 编辑
20楼|&工程师 (1839) |
一般MOS需要开通慢一些，而关断得尽量快，常用的办法是增加一个二极管和一个三极管，另外我们还想保留一些负压用于快速关断和抗干扰，于是电路就变成这样：
21楼|&工程师 (1839) |
有趣的是去掉二极管效果也是一样的
[本帖最后由 真武阁 于
08:55 编辑
48楼|&高级工程师 (3223) |
稳压管的作用是什么呢？
49楼|&专家 (45353) |
虽然还没有完全理解这个电路的工作原理，但觉得稳压管应该是关断的时候提供负压的吧。
50楼|&总工程师 (12566) |
应该是降三极管Vec压降的，避免功率损坏~
51楼|&高级工程师 (3223) |
我试分析一下看对不对
当变压器副边上负下正时，Vs(变压器副边电压）通过稳压管的阴极到阳极给电容充电，充电电压等于Vs-Vzd(稳压管压降），当变压器副边上正下负时，Vs+(Vs-Vzd)一起加到开关管的G极，这个稳压管就是调节开关管G极电压的。
当然在变压器副边上负下正时三极管也导通了，快速泄放了开关管Cgs上的电荷加速开关管的关断，但这个泄放电流又是从稳压管的阳极到阴极的。
哈哈，我还是很模糊。
53楼|&工程师 (1839) |
稳压管的作用是把Vs稍微靠向负一些，但要Voff大于Vz（也就是说占空比不是很小的时候）,稳压管2端的的电压才会稳定在VZ（注意，和他并联的那个电容不要省略了），上面说了在Toff提供一个负压主要是为了在大电流应用上起到抗干扰的作用，小电流应用可以不要这个负压(即使没有这个稳压管，在驱动信号的下降沿仍然看到有一个负的尖峰
54楼|&工程师 (1839) |
没有稳压管（连同和他并联的那个电容）波形是这样的
获得的赠予：操作者：zkybuaa&&&操作：+2P&&时间： 17:45理由：世纪电源网，因你而精彩！
88楼|&工程师 (1839) |
这个是600W镇流器的实际驱动波形，在电流换向时会有一些震荡，适量的负压可以避免这些震荡导致MOS误开通
<font color=#FD楼|&工程师 (668) |
你这波形带上MOS管了吗？如果没有带上的话，就不咋的。
用你这个电路还有可以改进的地方,带上46N60管后，波形上沿做到200-300nS（可调节），下沿50-70nS。与你电路有点区别，大致一样。
<font color=#FD楼|&工程师 (1839) |
这个是带STW45NM50的实测波形
87楼|&高级工程师 (3223) |
我很疑惑，如下图中当变压器副边上端是负压时那个电容的充电（左负右正）路径是哪？
89楼|&工程师 (1839) |
当变压器副边上端是负压时,Vg放电电流首先流经三极管的基极，三极管获得偏置迅速导通，然后放电回路经由稳压二极管（和它并联的电容）
<font color=#FD楼|&工程师 (668) |
这个电路有不同的接法，原理是一样，还有更复杂结构的，但是波形非常完美，
<font color=#FD楼|&本网技工 (157) |
和稳压管并联的电容有什么作用？一般取值为多少？
<font color=#FD楼|&工程师 (668) |
电容的作用是，在负半波出现时，电动势下为正，电容2端电压不突变，三极管的发射极就被钳位在中点线上，那么只有存储在MOS管的Vgs被快数释放到中点线的电位，这样三极管就不会把正半波的的能量拉到负半波，就不损耗驱动负半波的能量，只是消隐了负半波形。
稳压管的作用是钳位电容两端的电压幅度，也就是钳位负半波的负压留多少？
<font color=#FD楼|&本网技工 (102) |
我仿真了一下，当变压器原边控制信号突然关断时，Vg还会维持几个周期的高电压，这会使得mosfet误导通。那该怎么解决这个问题。
<font color=#FD楼|&本网技工 (109) |
我现在实际电路出现的可能就是这个问题，苦于无法消除
26楼|&总工程师 (12566) |
请教一个问题：MOS 慢开快关的好处是？谢谢
（以前也问这个问题，没有得到很好的理解~）
27楼|&工程师 (1839) |
慢开快关这个是一个共识的的问题了吧，和EMI的纠结。
理论上开关速度都是越快越好，尽可能减小开关过程中电流和电压的交叠时间（损耗）但过大的dv/dt di/dt,会恶化EMI，所以在速度上要有个度。对于在DCM或CRM，由于MOS在开通时刻，电流是从0开始上升的，开得慢一些，不会导致过多的额外损耗，但有利于EMI;而在关闭时刻，电流从最大往下降，如果关断太慢，损耗是相当可观的，关断多是靠吸收（有损或无损）来改善电压电流的交叠，和改善EMI
28楼|&总工程师 (12566) |
&我再琢磨一下，谢谢~
34楼|&工程师 (1839) |
在高频（比如说200Kz），有无加速三极管，驱动信号的下降沿区别尤为明显
谁能说说那个负尖峰是怎么回事？
35楼|&总工程师 (12566) |
驱动1--&0也是阶跃激励，负向时阻尼小，故出现下将沿过冲震铃~
37楼|&总工程师 (12566) |
回34楼：对此说法，给点意见呀？呵呵~
[本帖最后由 blueskyy 于
16:17 编辑
38楼|&工程师 (1839) |
但这个能量从哪来？漏感？
39楼|&总工程师 (12566) |
这个和能量没有关系，是电路的结构决定的。
暂态模态是电路结构（或者说传递函数）自身的极点产生的~
[本帖最后由 blueskyy 于
16:44 编辑
55楼|&副总工程师 (6245) |
感觉blueskyy的发言很高深，看不懂啊。。
40楼|&总工程师 (12566) |
或许我没有真正领悟你问的意思，
但这个能量从哪来？漏感？
你问的是哪个能量？下将沿的震荡能量？如果是的话，请参照上楼。
45楼|&工程师 (1839) |
哦，我对传递函数不熟，我以为存在振荡那必须要有能量消耗
之前只用二极管时，也发现了这个振荡，而且越是慢的二极管（蔽日1N4007）尖峰幅度越大
但这次用二极管，却没振荡了
47楼|&总工程师 (12566) |
下降沿是在放电回路中，放电回路不是从三极管的么？二极管是充电回路呀~
99楼|&工程师 (1133) |
老兄在驱动电路方面造诣很深，受教了~
此电路也是一个老电路了，基本原理在老的电视机的高压电源中有过应用。
最大的优点就是能够将宽范围的占空比，不降幅的传递到副边。
副边的电容以及PNP三极管内部的集电极和基极之间的PN结，起了关键作用。
去掉三极管，不仅不可以快速关断，也无法实现不损幅的占空比传递。
<font color=#FD楼|&工程师 (1133) |
至于下降沿的这个震荡，在实际中，我也遇到过这个问题。
我觉得是pnp三极管造成的，跟漏感关系不大。
<font color=#FD楼|&总工程师 (12566) |
我也是这样认为的，PNP导通后其内阻很小，阻尼就减弱了~
[本帖最后由 blueskyy 于
10:50 编辑
<font color=#FD楼|&工程师 (1133) |
我不是这个意思。
我的意思是，可能是PNP内部载流子存储效应造成的反向恢复造成的。
我实际中用的电路，对这个电路作了改动，有漏感吸收电路，同样也有下降沿的这个震荡。
57楼|&副总工程师 (6245) |
蓝天兄，好似喜欢从自动控制的角度来分析？
如果能够从电路的物理实质出发就太棒了。。
58楼|&总工程师 (12566) |
自动控制也好，电路的物理实质也好，最后都归结为数学~
有些现象从物理概念上讲，的确说不清楚，但数学上却很清楚地看到这个物理现象的必然性~
<font color=#FD楼|&工程师 (1169) |
这个说法很同意，不过感觉应该解释的更清楚些方便理解
由于MOSFET的输入电容Ciss以及源级寄生电感Ls的存在，当驱动1-&0，我们从0开始时刻看的话，那么驱动的部分就有三个元件，Ciss, Ls, 以及PNP的导通内阻Ri(很小)，并且Ciss是具有初值的，可以认为是零输入响应，这时候Ri很小会导致阻尼系数小，所以下降沿会出现频率为 sqrt(Ciss*Ls)的过冲振铃
<font color=#FD楼|&本网技工 (141) |
厉害，是阻尼不同了
<font color=#FD楼|&本网技师 (221) |
楼主，有没有办法解决这个电路，输入驱动电压的占空比突然减小，输出驱动电压抬升的问题啊？
<font color=#FD楼|&工程师 (645) |
分析得很经典
赞一个，学习了
19楼|&专家 (45353) |
论坛有很多类似改进型驱动电路的帖子，不知道楼主的又什么独到之处。
22楼|&工程师 (1839) |
我的改进没有什么特别之处也许和论坛的一些有重复吧，就当是温故而知新
23楼|&工程师 (1839) |
[本帖最后由 真武阁 于
18:49 编辑
24楼|&工程师 (1839) |
29楼|&工程师 (1839) |
到99%抗不住了
30楼|&高级工程师 (2979) |
95%时就扛不住了
31楼|&工程师 (1839) |
97%都还可以，这里VCC14.5V,负压3.3V,理论上有11V驱动输出，从波形看到97%都还有10V，波动不是很大，把Vcc提高到16V，基本可以满足2%-97%的占空比变化
36楼|&工程师 (1379) |
不错，到了97还可以的。楼主用的什么磁芯元件做的变压器呢？拍出来看看。
已经非常实用了。不知道将4427用图腾替代之后，波形是不是还这么漂亮呢？
43楼|&工程师 (1839) |
磁芯没有什么要求，这里用的是EE16，0.5三重线双线并绕，电感量300uH左右
用bjt做图腾柱的话，可能会损失一些电压，需要把Vcc抬高2V左右
73楼|&工程师 (1379) |
嗯，多谢武兄！
变压器做的漂亮啊！这个实际电路是按照21楼的上面那个电路还是下面那个电路呢？板子上的好像是B227之类的三极管还是什么呢？
变压器0.5三重线双线并绕是什么意思呢？是不是0.5的线2条并绕啊，绕了多少圈呢，我很想去实际验证一下。不知道电感量高了会有什么问题不？
75楼|&工程师 (1839) |
21楼下面那个电路，三极管是B772
“0.5三重线双线并绕”是用0.5的三重绝缘线双线并绕，变压器是定做的，15匝左右，我的工作频率在100k以上，所以电感量用得小一些。。。。。。电感量太大的话，漏感也会跟着大
[本帖最后由 真武阁 于
14:42 编辑
76楼|&副总工程师 (5717) |
我来做的话，多半会用磁环。用磁环可以得到更小的漏感，波形更容易做的漂亮^_^
78楼|&工程师 (1379) |
磁环是可以的，可是这个磁环用什么材质的呢？如何选的啊？
77楼|&工程师 (1379) |
彻底明白了，谢谢武兄！
<font color=#FD楼|&本网技工 (129) |
<font color=#FD楼|&本网技师 (221) |
但是这种结构的驱动，在输入占空比突变的情况下，比如占空比突然由大变小的时候，输出电压会突然抬升，这个没办法解决吧
<font color=#FD楼|&本网技工 (141) |
试过这个电路，貌似不行，MOS管的关断太慢了
41楼|&工程师 (1609) |
图中D3作用是？是防止开机瞬间，电流过大引起磁饱和吗？
[本帖最后由 lgdyl1983 于
16:57 编辑
44楼|&工程师 (1839) |
可能是为了开机瞬间由D3对大电解充电而不是由D1，因为D1的耐电流冲击能力相对较差，而IC启动延时一般会比大电解充电时间长一些，所以“开机瞬间，电流过大引起磁饱和”一般不会导致严重后果
62楼|&专家 (45353) |
1、D1的抗冲击能力不一定比D3差吧？
2、开机瞬间的电流饱和不是IC开始工作，而是交流电上电瞬间。（我记得好像是跟输入电压的相位有关，但我忘了应该怎么解释了，呵呵）
3、还有一个优点，记得是哪位版主提到的，对于尖峰冲击信号，可以通过D3直接注入点解，由电解吸收，而不会对输入的其他部件造成损坏。
好像是这样的，不知道记得是否有错误，欢迎指正。
63楼|&副总工程师 (6245) |
我也是这样理解。。
但有人移除了D3，实际应用中。。
64楼|&专家 (45353) |
hehe,俺做的时候也没用到D3，不过当时不了解这些，以后再做会记的加的。
65楼|&工程师 (1839) |
D1的抗冲击能力肯定比D3差
这还是那5A的去比3A的，同VA等级的高速管和普通整流管比，这个值相差更大
[本帖最后由 真武阁 于
22:09 编辑
68楼|&专家 (45353) |
呵呵，我没注意参数，如果是KW级别的PFC电路呢？这个位置二级管的作用肯定不是那么简单。
74楼|&副总工程师 (6245) |
不同的设计，
D1有可能用8A 600V的。。
81楼|&工程师 (1839) |
大功率一般都是CCM啦，D1要用超快或0恢复的管子了，而二极管越是快速，耐冲击能力越脆弱，10A600v的管子甚至不如3A的普通整流管
<font color=#FD楼|&工程师 (1955) |
D3 似乎是续流作用。
<font color=#FD楼|&本网技工 (190) |
你好，你的上贴中有提到，驱动变压器要考虑电感，电阻，圈数，这些
请问这个电阻考虑起什么作用。这个电阻要在变压器中怎么来设计达到要求了？
12楼|&助理工程师 (396) |
真的不错啊
<font color=#FD楼|&工程师 (530) |
有图片 有实例 有讲解
这个帖子太好啦
15楼|&本网技师 (288) |
42楼|&本网技师 (267) |
先留个脚印
56楼|&副总工程师 (6245) |
古大侠的对策。。上次疑问发贴
基本上可以这样子。。
92楼|&高级工程师 (3223) |
93楼|&专家 (45353) |
1、楼上的公式是有错误的，VC2应该改成VC4
2、第三个公式不是推倒出来的，Vg=Vdd-Vc3+Vc4是从原理直接得到的，将前面两个Vc3=D.Vdd及Vc4=D.Vg代入公式可以推导出结果。
94楼|&高级工程师 (3223) |
我不明白 Vg=Vdd-Vc3+Vc4& 这个式子
Vdd-Vc3 是变压器副边电压我知道，怎么还要加个Vc4呢？ Vc4上的电压是左负右正，这个电压是通过什么路径充上去的呢？56楼图中是通过D2，那87楼图中是通过什么路径呢？
[本帖最后由 gaohq 于
12:25 编辑
95楼|&专家 (45353) |
说实在的，我也没看懂87楼是怎么充电的，我以为你问前面公式是如何推倒的呢。呵呵。
96楼|&高级工程师 (3223) |
哈哈，原来不止我一个人没搞明白啊，我们期待楼主来谈谈。
<font color=#FD楼|&工程师 (1133) |
王工现在应该明白怎么充电了的吧？
<font color=#FD楼|&专家 (45353) |
说实在的，第一遍看这个帖子，不知道怎么充电的，等我看完另一个帖子我自己贴的那个图，我突然知道怎么充电的了。
<font color=#FD楼|&工程师 (1133) |
我也是看到你那个图，才想到的。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6245) |
究竟你们说的是那个图啊。。
<font color=#FD楼|&高级工程师 (3223) |
是怎么充电的呢？
<font color=#FD楼|&本网技师 (201) |
| 最新回复 13:27
是不是利用的三极管集电极到基极的PN节？
<font color=#FD楼|&工程师 (1016) |
56L中图二极管D2的作用?配合驱动变压器副边的电容升压?
[本帖最后由 雁过留痕 于
17:38 编辑
<font color=#FD楼|&专家 (45353) |
应该是的。
59楼|&副总工程师 (6245) |
如何把这个波形“整形（容）”？
60楼|&工程师 (1839) |
要完全去除负压，可以这样
波形见54楼(1uS/格；5V/格）
61楼|&副总工程师 (6245) |
改天试试看。。。
79楼|&副总工程师 (6245) |
关机时驱动波形如何变化？
是否有实际工作波形图？
[本帖最后由 allen-leon 于
11:40 编辑
82楼|&工程师 (1839) |
有关断三极管的驱动关机是不会有问题
无关断三极管（17楼），关机（PWM突然中断）时，被电容垫高的电压没有关断回路，只能靠G-S间的泄放电阻放电，由于这个电阻取值往往很大，所以....
17楼的图只是想说明一下原理，无实际应用意义
83楼|&副总工程师 (6245) |
所以关机瞬间有可能炸鸡翅。
85楼|&工程师 (1839) |
如果是半桥的话可能会炸，但我试过把泄放电阻用到数k，也没事
不过即使是软开关拓扑，也是希望MOS的关断尽量快，所以三极管是必不可少的
84楼|&高级工程师 (3223) |
被电容垫高的电压没有关断回路
-------------------------------------------
你这里所说的电容是哪一个电容呢？
86楼|&工程师 (1839) |
17楼边右边（即变压器副边）那个电容
[本帖最后由 真武阁 于
17:25 编辑
<font color=#FD楼|&本网技工 (180) |
您好！本人是新手，目前想用此电路做变压器驱动，有几处想请教：
1. 绿色部分表示的30R的这一电阻的取值范围一般是多少？
2、关断PNP SS8550与您之前介绍的B772有什么区别吗？是否可用3906进行替换呢？
3、还有就是21楼中，与提供负压的稳压二极管并联的电容的取值范围是多少呢？
用21楼的电路图进行过仿真，用的pnp是3906。仿真时并联的那个电容值对波形的影响较为明显，容值较大时驱动脉冲波形较好。目前的主要疑问就是1和2，仿真时它们的影响未曾找出。
还望不吝赐教！
<font color=#FD楼|&工程师 (1839) |
1，一般是数十欧
2，MOS的输入电容不大（5n以下)用8550可以了，772可以提供更大的放电电流，适合输入电容较大的MOS，3906的Ic好像只有200mA，太小了点
3，这个电容取值10n-100n，具体看实际波形
<font color=#FD楼|&高级工程师 (4687) |
这个图，左边的GND我想变成Vin-B，出来这个图正20V，负10V并在正5V初有很长平台，我还是想让他输出比如+12V -3V 请问怎么办？
<font color=#FD楼|&工程师 (1839) |
<font color=#FD楼|&高级工程师 (4687) |
“左边的GND我想变成Vin-B”
66楼|&副总工程师 (5717) |
似乎这类驱动电路似乎都有一个共同的问题：在占空比突变的适应能力比较差。
楼主的驱动电路是不是也有同样的问题呢？
67楼|&工程师 (1839) |
仔细看23,24楼的高清组图
69楼|&副总工程师 (5717) |
那里看不出来吧？
我说的是占空比变化的过渡过程。
[本帖最后由 cdzx11 于
22:55 编辑
70楼|&工程师 (1839) |
你说的“突变”时间是指多少？
71楼|&副总工程师 (5717) |
若干周期吧。比如负载阶跃，电源阶跃
[本帖最后由 cdzx11 于
00:49 编辑
72楼|&工程师 (1839) |
一般的环路响应也就限制在mS级以下吧，可惜手上没有存储示波器没办法抓怕突变波形，但从原理（有关断三极管那个）上看这种驱动不存在响应慢的问题（17楼的图的确存在响应问题，但应用上是不推荐用这种）
80楼|&工程师 (405) |
90楼|&助理工程师 (327) |
97楼|&工程师 (406) |
顶起再慢慢看
98楼|&助理工程师 (323) |
<font color=#FD楼|&助理工程师 (396) |
什么时候在那个帖子里？
<font color=#FD楼|&助理工程师 (341) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (167) |
好帖多谢分享经验，这些经验对我们这样的新手很有用！！
<font color=#FD楼|&工程师 (1955) |
楼主，你能不能把你要发的内容全部放在一楼啊，堆楼层有什么意思。
这种稀稀拉拉的探讨方式十分讨厌。
<font color=#FD楼|&工程师 (405) |
<font color=#FD楼|&工程师 (447) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (137) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (193) |
这个驱动的一系列分析，堪称经典
<font color=#FD楼|&工程师 (550) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (111) |
广告已删除
[本帖最后由 admin 于
14:20 编辑
<font color=#FD楼|&本网技师 (276) |
<font color=#FD楼|&副总工程师 (9015) |
犯了一个低级错误，既然叫“阁”，多高雅啊，就不能再叫“室”
<font color=#FD楼|&本网技工 (193) |
有好几篇驱动电路讲解的都不错
<font color=#FD楼|&本网技工 (110) |
我的一个仿真& 想你这样弄的，但是为什么IC工作不行啊，也能驱动MOS啊，是我的反馈问题吗？求解
<font color=#FD楼|&工程师 (693) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (199) |
这样的好帖，必须顶！
<font color=#FD楼|&本网技工 (126) |
<font color=#FD楼|&工程师 (769) |
楼高了，观摩很累
<font color=#FD楼|&本网技工 (105) |
好贴，学习了
<font color=#FD楼|&本网技工 (103) |
你好楼主，我现在做的BUCK电路，UC3843输出驱动就采用下面的电路，想问问占空比为80%是驱动变压器会饱和吗？看了楼主的帖子好像饱和不了，但又不明白为什么，麻烦楼主赐教，谢谢！
<font color=#FD楼|&工程师 (1839) |
是否饱和用公式验证一下工作磁通密度，和占空比没什么关系，因为这个驱动变压器也是遵循秒伏平衡的，Bm合理的话即使D=99.999%它也不会饱和
另外电源技术交流可以加群&&&&
[本帖最后由 真武阁 于
13:41 编辑
热门技术、经典电源设计资源推荐
世纪电源网热线：400-022-5587 传真：022- e-mail：21dy 邮编：300110
中国电源学会 地址：天津市南开区黄河道467号大通大厦16层(300110) 联系电话：022- 传真：022- e-mail：cpss
广东联络处：7 （） 北京联络处：010- （）
上海联络处：021- （） 香港联络处：HK（852） China（86）
备案许可证号为：}